1. 2018
  2. MBE growth and properties of GaAs, AlGaAs and InAs nanowires on SiC/Si(111) hybrid substrate

    Reznik, R. R., Shtrom, I. V., Soshnikov, I. P., Kukushkin, S. A., Kirilenko, D. A. & Cirlin, G. E., 20 дек 2018, в: Journal of Physics: Conference Series. 1135, 1, 012036.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатья в журнале по материалам конференцииРецензирование

  3. MBE growth and optical properties of III-V nanowires on SiC/Si(111) hybrid substrate

    Reznik, R. R., Kotlyar, K. P., Kukushkin, S. A., Osipov, A. V., Soshnikov, I. P., Nikitina, E. V. & Cirlin, G. E., 13 авг 2018, Proceedings - International Conference Laser Optics 2018, ICLO 2018. Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., стр. 382 1 стр. 8435191. (Proceedings - International Conference Laser Optics 2018, ICLO 2018).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференцийстатья в сборнике материалов конференциинаучнаяРецензирование

  4. Фоточувствительное устройство и способ его изготовления.

    Котляр, К. П., Кукушкин, С. А., Осипов, А. В., Резник, Р. Р., Сошников, И. П. & Цырлин, Г. Э., 26 июл 2018, Патент № RU 2685032

    Результаты исследований: Патентование и регистрация прав на ИСпатент

  5. MBE growth of thin AlGaAs nanowires with a complex structure on strongly mismatched SiC/Si(111) substrate

    Reznik, R. R., Shtrom, I. V., Soshnikov, I. P., Kukushkin, S. A., Zeze, D. A. & Cirlin, G. E., 18 июн 2018, в: Journal of Physics: Conference Series. 1038, 1, 012063.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатья в журнале по материалам конференцииРецензирование

  6. Способ получения пластины монокристалла нитрида галлия.

    Буравлев, А. Д., Кукушкин, С. А., Осипов, А. В., Лукьянов, А. В., Тимошнев, С. Н. & Шарофидинов, Ш. Ш., 6 июн 2018, Патент № RU 2683103

    Результаты исследований: Патентование и регистрация прав на ИСпатент

  7. MBE growth and Structural Properties of InAs and InGaAs Nanowires with Different Mole Fraction of In on Si and Strongly Mismatched SiC/Si(111) Substrates

    Reznik, R. R., Kotlyar, K. P., Soshnikov, I. P., Kukushkin, S. A., Osipov, A. V. & Cirlin, G. E., 1 мая 2018, в: Semiconductors. 52, 5, стр. 651-653 3 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  8. Hybrid GaAs/AlGaAs Nanowire—Quantum dot System for Single Photon Sources

    Cirlin, G. E., Reznik, R. R., Shtrom, I. V., Khrebtov, A. I., Samsonenko, Y. B., Kukushkin, S. A., Kasama, T., Akopian, N. & Leonardo, L., 1 апр 2018, в: Semiconductors. 52, 4, стр. 462-464 3 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  9. MBE Growth and Optical Properties of GaN, InN, and A3B5 Nanowires on SiC/Si(111) Hybrid Substrate

    Reznik, R. R., Kotlyar, K. P., Ilkiv, I. V., Khrebtov, A. I., Soshnikov, I. P., Kukushkin, S. A., Osipov, A. V., Nikitina, E. V. & Cirlin, G. E., 2018, в: Advances in Condensed Matter Physics. 2018, 1040689.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  10. 2017
  11. MBE growth and optical properties of GaN layers on SiC/Si(111) hybrid substrate

    Reznik, R. R., Kotlyar, K. P., Soshnikov, I. P., Kukushkin, S. A., Osipov, A. V., Nikitina, E. V. & Cirlin, G. E., 23 ноя 2017, в: Journal of Physics: Conference Series. 917, 3, 032014.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатья в журнале по материалам конференцииРецензирование

  12. AlGaAs and AlGaAs/GaAs/AlGaAs nanowires grown by molecular beam epitaxy on silicon substrates

    Cirlin, G. E., Reznik, R. R., Shtrom, I. V., Khrebtov, A. I., Soshnikov, I. P., Kukushkin, S. A., Leandro, L., Kasama, T. & Akopian, N., 8 ноя 2017, в: Journal of Physics D: Applied Physics. 50, 48, 484003.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

ID: 70430167