21 - 30 из 37Размер страницы: 10
Сортировать по:: Год публикации
  1. 2018

  2. Фоточувствительное устройство и способ его изготовления.

    Котляр, К. П., Кукушкин, С. А., Осипов, А. В., Резник, Р. Р., Сошников, И. П. & Цырлин, Г. Э., 26 июл 2018, Патент № RU 2685032

    Результаты исследований: Патентование и регистрация прав на ИС › патент

  3. MBE growth of thin AlGaAs nanowires with a complex structure on strongly mismatched SiC/Si(111) substrate

    Reznik, R. R., Shtrom, I. V., Soshnikov, I. P., Kukushkin, S. A., Zeze, D. A. & Cirlin, G. E., 18 июн 2018, в: Journal of Physics: Conference Series. 1038, 1, 012063.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья в журнале по материалам конференции › Рецензирование

  4. Способ получения пластины монокристалла нитрида галлия.

    Буравлев, А. Д., Кукушкин, С. А., Осипов, А. В., Лукьянов, А. В., Тимошнев, С. Н. & Шарофидинов, Ш. Ш., 6 июн 2018, Патент № RU 2683103

    Результаты исследований: Патентование и регистрация прав на ИС › патент

  5. MBE growth and Structural Properties of InAs and InGaAs Nanowires with Different Mole Fraction of In on Si and Strongly Mismatched SiC/Si(111) Substrates

    Reznik, R. R., Kotlyar, K. P., Soshnikov, I. P., Kukushkin, S. A., Osipov, A. V. & Cirlin, G. E., 1 мая 2018, в: Semiconductors. 52, 5, стр. 651-653 3 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  6. Hybrid GaAs/AlGaAs Nanowire—Quantum dot System for Single Photon Sources

    Cirlin, G. E., Reznik, R. R., Shtrom, I. V., Khrebtov, A. I., Samsonenko, Y. B., Kukushkin, S. A., Kasama, T., Akopian, N. & Leonardo, L., 1 апр 2018, в: Semiconductors. 52, 4, стр. 462-464 3 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  7. MBE Growth and Optical Properties of GaN, InN, and A3B5 Nanowires on SiC/Si(111) Hybrid Substrate

    Reznik, R. R., Kotlyar, K. P., Ilkiv, I. V., Khrebtov, A. I., Soshnikov, I. P., Kukushkin, S. A., Osipov, A. V., Nikitina, E. V. & Cirlin, G. E., 2018, в: Advances in Condensed Matter Physics. 2018, 1040689.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  8. 2017

  9. MBE growth and optical properties of GaN layers on SiC/Si(111) hybrid substrate

    Reznik, R. R., Kotlyar, K. P., Soshnikov, I. P., Kukushkin, S. A., Osipov, A. V., Nikitina, E. V. & Cirlin, G. E., 23 ноя 2017, в: Journal of Physics: Conference Series. 917, 3, 032014.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья в журнале по материалам конференции › Рецензирование

  10. AlGaAs and AlGaAs/GaAs/AlGaAs nanowires grown by molecular beam epitaxy on silicon substrates

    Cirlin, G. E., Reznik, R. R., Shtrom, I. V., Khrebtov, A. I., Soshnikov, I. P., Kukushkin, S. A., Leandro, L., Kasama, T. & Akopian, N., 8 ноя 2017, в: Journal of Physics D: Applied Physics. 50, 48, 484003.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  11. MBE growth of ultrathin III–V nanowires on a highly mismatched SiC/Si(111) substrate

    Reznik, R. R., Kotlyar, K. P., Shtrom, I. V., Soshnikov, I. P., Kukushkin, S. A., Osipov, A. V. & Cirlin, G. E., 1 ноя 2017, в: Semiconductors. 51, 11, стр. 1472-1476 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  12. 2016

  13. Growth and optical properties of filamentary GaN nanocrystals grown on a hybrid SiC/Si(111) substrate by molecular beam epitaxy

    Reznik, R. R., Kotlyar, K. P., Il’kiv, I. V., Soshnikov, I. P., Kukushkin, S. A., Osipov, A. V., Nikitina, E. V. & Cirlin, G. E., 1 окт 2016, в: Physics of the Solid State. 58, 10, стр. 1952-1955 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Назад 1 2 3 4 Далее

ID: 70430167