Результаты

  1. Теоретический анализ профилей состава в осевых гетероструктурах на основе нитевидных нанокристаллов AlGaAs

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  2. Designing the orientation of GaN nanowires on Si(100) through pore geometry engineering

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. Ultra-narrow linewidth blue plasmonic single mode nanolasing from MBE-grown GaN nanowires with embedded InGaN quantum wells

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Просмотреть все (113) »

Проекты

  1. Управление составом в нанoструктурах тройных полупроводниковых соединений III-V: 2026 г. этап 1

    Проект: исполнение гранта/договора › исполнение этапа гранта/договора

  2. Наноструктуры полупроводниковых соединений III-V с управляемой морфологией и расширенной областью состава для оптоэлектроники: 2026 г., этап 2

    Проект: исполнение гранта/договора › исполнение этапа гранта/договора

  3. Новые наноструктурированные InGaN материалы: синтез, свойства и оптоэлектронные приложения: 2026 г. этап 4

    Проект: исполнение гранта/договора › исполнение этапа гранта/договора

Просмотреть все () »

Деятельность

  1. Vapor-liquid-solid growth of metal arsenides nanowires with arsenic-rich catalysts

    Деятельность: Выступление на научной конференции › выступление с устным докладом

  2. Vapor-solid-solid growth of GaN nanowires in metastable phase

    Деятельность: Выступление на научной конференции › выступление с устным докладом

  3. Рост политипных нитевидных нанокристаллов GaN по механизму «пар-кристалл-кристалл»

    Деятельность: Выступление на научной конференции › выступление со стендовым докладом

Просмотреть все (24) »

ID: 206468