Результаты

  1. Hexagonal Ge on the side facets of GaAs and AlGaAs nanowires

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференцийстатья в сборнике материалов конференциинаучнаяРецензирование

  2. III-V hybrid nanostructures on silicon: molecular-beam epitaxy growth and physical properties

    Результаты исследований: Материалы конференцийматериалыРецензирование

  3. Effect of wet KOH etching on structural properties of GaN nanowires grown on patterned SiOx/Si substrates

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатья в журнале по материалам конференцииРецензирование

Просмотреть все (34) »

Деятельность

  1. Hexagonal Ge on the side facets of GaAs and AlGaAs nanowires

    Деятельность: Выступление на научной конференциивыступление с устным докладом

Просмотреть все (1) »

ID: 11757125