1 - 10 из 37Размер страницы: 10
Сортировать по:: Год публикации
  1. 2024

  2. Влияние олова на свойства нитрида галлия, выращенного методом хлорид-гидридной газофазной эпитаксии

    Кукушкин, С. А. & Редьков, А. В., 2024, в: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. МЕХАНИЗМ РОСТА ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ GA2O3 МЕТОДОМ ХЛОРИД-ГИДРИДНОЙ ЭПИТАКСИИ НА ПОДЛОЖКЕ SIC/SI (110)

    Кукушкин, С. А., Осипов, А. В., Убыйвовк, Е. В., Осипова, Е. В. & Шарофидинов, Ш. Ш., 2024, (Принято в печать) в: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  4. Эффекты самоорганизации при выращивании нитевидных нанокристаллов InGaN методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота

    Резник, Р. Р., Гридчин, В. О., Котляр, К. П., Убыйвовк, Е. В., Кукушкин, С. А. & Цырлин, Г. Э., 2024, Труды XXVIII Международного симпозиума НАНОФИЗИКА И НАНОЭЛЕКТРОНИКА . Институт прикладной физики РАН, Том 2. стр. 623-624 2 стр.

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › статья в сборнике материалов конференции › научная › Рецензирование

  5. 2023

  6. Изменение упругих деформаций в плёнках SiC в процессе роста методом согласованного замещения атомов на подложках Si

    Еремеев, Ю. А., Воробьев, А. С., Гращенко, А. С., Семенча, А. В., Осипов, А. В. & Кукушкин, С. А., 2023, в: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА. 65, 1, стр. 71

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  7. Новый метод релаксации упругих напряжений при росте гетероэпитаксиальных пленок

    Корякин, А. А., Кукушкин, С. А., Осипов, А. В., Шарофидинов, Ш. Ш. & Щеглов, М. П., 2023, в: ИЗВЕСТИЯ РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК. МЕХАНИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА. 3, стр. 58-72

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  8. Рост пленок SiC, AlN и GaN на кремниевых изделиях произвольной геометрии для микроэлектромеханических применений

    Кондратенко, Т. Т., Гращенко, А. С., Осипов, А. В., Редьков, А. В., Убыйвовк, Е. В., Шарофидинов, Ш. Ш. & Кукушкин, С. А., 2023, в: Письма в ЖурналТехнической Физики. 49, 11, стр. 3-8

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  9. 2022

  10. On the Growth of Thin-Film AlGaN/GaN Epitaxial Heterostructures on Hybrid Substrates Containing Layers of Silicon Carbide and Porous Silicon

    Seredin, P. V., Radam, A. O., Goloshchapov, D. L., Len’shin, A. S., Buylov, N. S., Barkov, K. A., Nesterov, D. N., Mizerov, A. M., Timoshnev, S. N., Nikitina, E. V., Arsentyev, I. N., Sharafidinov, S., Kukushkin, S. A. & Kasatkin, I. A., 29 июн 2022, в: Semiconductors. 56, 4, стр. 253-258 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  11. Особенности зарождения и роста нитевидных нанокристаллов InGaN на подложках SiC/Si методом хлорид-гидридной эпитаксии

    Кукушкин, С. А., Осипов, А. В., Редьков, А. В., Стожаров, В. М., Убыйвовк, Е. В. & Шарофидинов, Ш. Ш., 2022, в: ПИСЬМА В "ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ". 48, 4, стр. 24-28

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  12. Спинтронные свойства границы раздела между Si(111) и 3C-SiC(111), выращенным методом согласованного замещения атомов

    Кукушкин, С. А., Осипов, А. В. & Осипова, Е. В., 2022, (Электронная публикация перед печатью) в: ПИСЬМА В "ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ". 48, 20, стр. 43

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  13. 2021

  14. Dynamic Interaction of Steps and Nanoislands during Growth of a Multicomponent Crystal

    Redkov, A. V. & Kukushkin, S. A., 1 сен 2021, в: Crystal Growth and Design. 21, 9, стр. 4914-4926 13 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Назад 1 2 3 4 Далее

ID: 70430167