1 - 10 из 35Размер страницы: 10
Сортировать по:: Год публикации
  1. 2024

  2. Влияние олова на свойства нитрида галлия, выращенного методом хлорид-гидридной газофазной эпитаксии

    Кукушкин, С. А. & Редьков, А. В., 2024, в: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. 2023

  4. Изменение упругих деформаций в плёнках SiC в процессе роста методом согласованного замещения атомов на подложках Si

    Еремеев, Ю. А., Воробьев, А. С., Гращенко, А. С., Семенча, А. В., Осипов, А. В. & Кукушкин, С. А., 2023, в: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА. 65, 1, стр. 71

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  5. Новый метод релаксации упругих напряжений при росте гетероэпитаксиальных пленок

    Корякин, А. А., Кукушкин, С. А., Осипов, А. В., Шарофидинов, Ш. Ш. & Щеглов, М. П., 2023, в: ИЗВЕСТИЯ РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК. МЕХАНИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА. 3, стр. 58-72

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  6. Рост пленок SiC, AlN и GaN на кремниевых изделиях произвольной геометрии для микроэлектромеханических применений

    Кондратенко, Т. Т., Гращенко, А. С., Осипов, А. В., Редьков, А. В., Убыйвовк, Е. В., Шарофидинов, Ш. Ш. & Кукушкин, С. А., 2023, в: Письма в ЖурналТехнической Физики. 49, 11, стр. 3-8

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  7. 2022

  8. On the Growth of Thin-Film AlGaN/GaN Epitaxial Heterostructures on Hybrid Substrates Containing Layers of Silicon Carbide and Porous Silicon

    Seredin, P. V., Radam, A. O., Goloshchapov, D. L., Len’shin, A. S., Buylov, N. S., Barkov, K. A., Nesterov, D. N., Mizerov, A. M., Timoshnev, S. N., Nikitina, E. V., Arsentyev, I. N., Sharafidinov, S., Kukushkin, S. A. & Kasatkin, I. A., 29 июн 2022, в: Semiconductors. 56, 4, стр. 253-258 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  9. Особенности зарождения и роста нитевидных нанокристаллов InGaN на подложках SiC/Si методом хлорид-гидридной эпитаксии

    Кукушкин, С. А., Осипов, А. В., Редьков, А. В., Стожаров, В. М., Убыйвовк, Е. В. & Шарофидинов, Ш. Ш., 2022, в: ПИСЬМА В "ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ". 48, 4, стр. 24-28

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  10. Спинтронные свойства границы раздела между Si(111) и 3C-SiC(111), выращенным методом согласованного замещения атомов

    Кукушкин, С. А., Осипов, А. В. & Осипова, Е. В., 2022, (Электронная публикация перед печатью) в: ПИСЬМА В "ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ". 48, 20, стр. 43

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  11. 2021

  12. Dynamic Interaction of Steps and Nanoislands during Growth of a Multicomponent Crystal

    Redkov, A. V. & Kukushkin, S. A., 1 сен 2021, в: Crystal Growth and Design. 21, 9, стр. 4914-4926 13 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  13. Self-Organization of the Composition of AlxGa1 –xN Films Grown on Hybrid SiC/Si Substrates

    Kukushkin, S. A., Sharofidinov, S. S., Osipov, A. V., Grashchenko, A. S., Kandakov, A. V., Osipova, E. V., Kotlyar, K. P. & Ubyivovk, E. V., 1 мар 2021, в: Physics of the Solid State. 63, 3, стр. 442-448 7 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  14. Method for the modification of graphite subsurface layer to a solid mixture of SiC and graphite

    Grashchenko, A. S., Kukushkin, S. A., Osipov, A. V. & Redkov, A. V., 2021, в: Journal of Physics: Conference Series. 2086, 012012.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Назад 1 2 3 4 Далее

ID: 70430167