1 - 10 из 41Размер страницы: 10
Сортировать по:: Год публикации
  1. 2026

  2. Three stages of Si transformation into SiC by the method of coordinated substitution of atoms

    Кукушкин, С. А., Убыйвовк, Е. В., Воробьёв, М. Г., Grashchenko, A. S. & Осипов, А. В., 1 апр 2026, в: Thin Solid Films. 839, 10 стр., 140908.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. 2025

  4. Магнетизм гибридных структур SiC/Si, синтезированных методом вакансионного согласованного замещения атомов

    Романов, В. В., Руль, Н. И., Веневцев, И. Д., Королев, А. В., Кукушкин, С. А. & Баграев, Н. Т., 2025, в: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА. 8, стр. 1573-1578

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  5. Магнитная восприимчивость гибридных структур SiC/Si, синтезированных методом самосогласованного замещения атомов

    Кукушкин, С. А., Руль, Н. И., Убыйвовк, Е. В., Осипов, А. В., Романов, В. В. & Баграев, Н. Т., 2025, в: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА. 67, 4, стр. 624-634

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  6. Механизм роста эпитаксиальных слоев Ga2O3 методом хлорид-гидридной эпитаксии на подложке SiC/Si (110)

    Кукушкин, С. А., Осипов, А. В., Убыйвовк, Е. В., Осипова, Е. В. & Шарофидинов, Ш. Ш., 2025, в: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА. 67, 1, стр. 105-113

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья в журнале по материалам конференции › Рецензирование

  7. Построение прогнозных моделей для роста тонких пленок SiC/Si с использованием методов машинного обучения

    Редьков, А. В., Роженцев, Д. В., Гращенко, А. С., Осипов, А. В. & Кукушкин, С. А., 2025, в: ПИСЬМА В "ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ". 51, 22, стр. 31-35

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  8. 2024

  9. Влияние олова на свойства нитрида галлия, выращенного методом хлорид-гидридной газофазной эпитаксии

    Кукушкин, С. А. & Редьков, А. В., 2024, в: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  10. Эффекты самоорганизации при выращивании нитевидных нанокристаллов InGaN методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота

    Резник, Р. Р., Гридчин, В. О., Котляр, К. П., Убыйвовк, Е. В., Кукушкин, С. А. & Цырлин, Г. Э., 2024, Труды XXVIII Международного симпозиума НАНОФИЗИКА И НАНОЭЛЕКТРОНИКА . Институт прикладной физики РАН, Том 2. стр. 623-624 2 стр.

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › статья в сборнике материалов конференции › Рецензирование

  11. 2023

  12. Изменение упругих деформаций в плёнках SiC в процессе роста методом согласованного замещения атомов на подложках Si

    Еремеев, Ю. А., Воробьев, А. С., Гращенко, А. С., Семенча, А. В., Осипов, А. В. & Кукушкин, С. А., 2023, в: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА. 65, 1, стр. 71

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  13. Новый метод релаксации упругих напряжений при росте гетероэпитаксиальных пленок

    Корякин, А. А., Кукушкин, С. А., Осипов, А. В., Шарофидинов, Ш. Ш. & Щеглов, М. П., 2023, в: ИЗВЕСТИЯ РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК. МЕХАНИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА. 3, стр. 58-72

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  14. Рост пленок SiC, AlN и GaN на кремниевых изделиях произвольной геометрии для микроэлектромеханических применений

    Кондратенко, Т. Т., Гращенко, А. С., Осипов, А. В., Редьков, А. В., Убыйвовк, Е. В., Шарофидинов, Ш. Ш. & Кукушкин, С. А., 2023, в: Письма в ЖурналТехнической Физики. 49, 11, стр. 3-8

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Назад 1 2 3 4 5 Далее

ID: 70430167