1 - 10 из 39Размер страницы: 10
Сортировать по:: Год публикации
  1. 2025

  2. Магнетизм гибридных структур SiC/Si, синтезированных методом вакансионного согласованного замещения атомов

    Романов, В. В., Руль, Н. И., Веневцев, И. Д., Королев, А. В., Кукушкин, С. А. & Баграев, Н. Т., 2025, в: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА. 8, стр. 1573-1578

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. Механизм роста эпитаксиальных слоев Ga2O3 методом хлорид-гидридной эпитаксии на подложке SiC/Si (110)

    Кукушкин, С. А., Осипов, А. В., Убыйвовк, Е. В., Осипова, Е. В. & Шарофидинов, Ш. Ш., 2025, в: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА. 67, 1, стр. 105-113

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  4. Построение прогнозных моделей для роста тонких пленок SiC/Si с использованием методов машинного обучения

    Кукушкин, С. А., Редьков, А. В., Осипов, А. В., Гращенко, А. С. & Роженцев, Д. В., 2025, (Принято в печать) в: ПИСЬМА В "ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ".

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  5. 2024

  6. Влияние олова на свойства нитрида галлия, выращенного методом хлорид-гидридной газофазной эпитаксии

    Кукушкин, С. А. & Редьков, А. В., 2024, в: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  7. Эффекты самоорганизации при выращивании нитевидных нанокристаллов InGaN методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота

    Резник, Р. Р., Гридчин, В. О., Котляр, К. П., Убыйвовк, Е. В., Кукушкин, С. А. & Цырлин, Г. Э., 2024, Труды XXVIII Международного симпозиума НАНОФИЗИКА И НАНОЭЛЕКТРОНИКА . Институт прикладной физики РАН, Том 2. стр. 623-624 2 стр.

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › статья в сборнике материалов конференции › научная › Рецензирование

  8. 2023

  9. Изменение упругих деформаций в плёнках SiC в процессе роста методом согласованного замещения атомов на подложках Si

    Еремеев, Ю. А., Воробьев, А. С., Гращенко, А. С., Семенча, А. В., Осипов, А. В. & Кукушкин, С. А., 2023, в: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА. 65, 1, стр. 71

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  10. Новый метод релаксации упругих напряжений при росте гетероэпитаксиальных пленок

    Корякин, А. А., Кукушкин, С. А., Осипов, А. В., Шарофидинов, Ш. Ш. & Щеглов, М. П., 2023, в: ИЗВЕСТИЯ РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК. МЕХАНИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА. 3, стр. 58-72

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  11. Рост пленок SiC, AlN и GaN на кремниевых изделиях произвольной геометрии для микроэлектромеханических применений

    Кондратенко, Т. Т., Гращенко, А. С., Осипов, А. В., Редьков, А. В., Убыйвовк, Е. В., Шарофидинов, Ш. Ш. & Кукушкин, С. А., 2023, в: Письма в ЖурналТехнической Физики. 49, 11, стр. 3-8

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  12. 2022

  13. On the Growth of Thin-Film AlGaN/GaN Epitaxial Heterostructures on Hybrid Substrates Containing Layers of Silicon Carbide and Porous Silicon

    Seredin, P. V., Radam, A. O., Goloshchapov, D. L., Len’shin, A. S., Buylov, N. S., Barkov, K. A., Nesterov, D. N., Mizerov, A. M., Timoshnev, S. N., Nikitina, E. V., Arsentyev, I. N., Sharafidinov, S., Kukushkin, S. A. & Kasatkin, I. A., 29 июн 2022, в: Semiconductors. 56, 4, стр. 253-258 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  14. Особенности зарождения и роста нитевидных нанокристаллов InGaN на подложках SiC/Si методом хлорид-гидридной эпитаксии

    Кукушкин, С. А., Осипов, А. В., Редьков, А. В., Стожаров, В. М., Убыйвовк, Е. В. & Шарофидинов, Ш. Ш., 2022, в: ПИСЬМА В "ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ". 48, 4, стр. 24-28

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Назад 1 2 3 4 Далее

ID: 70430167