Результаты

  1. Growth of GaN Nanowires with InN Inserts by PA-MBE

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  2. MBE growth and properties of branched AlGaAs nanowires on silicon

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. Effect of GaAs buffer layer on the characteristics of GaAs NWs grown by molecular beam epitaxy on Si(111) substrates

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья в журнале по материалам конференции › Рецензирование

Просмотреть все (44) »

Проекты

  1. Непланарные III-V наноструктуры переменной размерности для полупроводниковой элементной базы нового поколения: 2025 г. этап 1

    Проект: исполнение гранта/договора › исполнение этапа гранта/договора

  2. Новые наноструктурированные InGaN материалы: синтез, свойства и оптоэлектронные приложения: 2025 г. этап 3

    Проект: исполнение гранта/договора › исполнение этапа гранта/договора

  3. Новые наноструктурированные InGaN материалы: синтез, свойства и оптоэлектронные приложения: 2024 г. этап 2

    Проект: исполнение гранта/договора › исполнение этапа гранта/договора

Просмотреть все () »

Деятельность

  1. Size-dependent properties of InAs quantum dots in Si

    Деятельность: Выступление на научной конференции › выступление с устным докладом

  2. Photoluminescence enhancement of InGaN core-shell nanowires via wet chemical treatment

    Деятельность: Выступление на научной конференции › выступление с устным докладом

Просмотреть все (2) »

ID: 76767234