Результаты

  1. Topographically-Guided van der Waals Epitaxy: Selective Growth of AlN Nanowalls on h-BN Step Edges

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  2. Effect of GaAs buffer layer on the characteristics of GaAs NWs grown by molecular beam epitaxy on Si(111) substrates

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья в журнале по материалам конференции › Рецензирование

  3. MBE growth of wurtzite AlGaAs nanowires with zinc-blende insertions

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья в журнале по материалам конференции › Рецензирование

Просмотреть все (99) »

Проекты

  1. Лаборатория новых полупроводниковых материалов для квантовой информатики и телекоммуникаций

    Проект: исследовательские группы

  2. Новые полупроводниковые материалы для квантовой информатики и телекоммуникаций: 2026 г. этап 5

    Проект: исполнение гранта/договора › исполнение этапа гранта/договора

  3. Новые наноструктурированные InGaN материалы: синтез, свойства и оптоэлектронные приложения: 2026 г. этап 4

    Проект: исполнение гранта/договора › исполнение этапа гранта/договора

Просмотреть все () »

Деятельность

  1. Van der Waals Epitaxial Growth of AlN Nanowires on h-BN

    Деятельность: Выступление на научной конференции › выступление со стендовым докладом

  2. Epitaxial growth of AlN nanowires on two-dimensional h-BN flakes transferred onto SiO2/Si substrate

    Деятельность: Выступление на научной конференции › выступление с устным докладом

  3. Формирование разориентированных микроструктур фторида алюминия

    Деятельность: Выступление на научной конференции › выступление со стендовым докладом

Просмотреть все (6) »

ID: 3635640