11 - 20 из 34Размер страницы: 10
Сортировать по:: Год публикации
  1. 2021

  2. Особенности эпитаксиального роста III-N светодиодных гетероструктур на подложках SiC/Si

    Черкашин, Н. А., Сахаров, А. В., Николаев, А. Е., Лундин, В. В., Усов, С. О., Устинов, В. М., Гращенко, А. С., Кукушкин, С. А., Осипов, А. В. & Цацульников, А. Ф., 2021, в: ПИСЬМА В "ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ". 47, 15, стр. 15-18

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. Светодиод на основе AlInGaN гетероструктур, выращенных на подложках SiC/Si и технология его изготовления

    Марков, К. Л., Кукушкин, С. А., Смирнова, И. П., Павлюченко, А. С., Гращенко, А. С., Осипов, А. В., Святец, Г. В., Николаев, А. Е., Сахаров, А. В., Лундин, В. В. & Цацульников, А. Ф., 2021, в: Письма в Журнал технической физики. 47, 18, стр. 3-6

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  4. Термодинамическая стабильность твердых растворов InxGa1-xN

    Кукушкин, С. А. & Осипов, А. В., 2021, в: Письма в Журнал технической физики. 47, 19, стр. 51-54

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  5. 2020

  6. MBE synthesis and properties of GaN NWs on SiC/Si substrate and InGaN nanostructures on Si substrate

    Reznik, R. R., Kotlyar, K. P., Khrebtov, A. I., Kukushkin, S. A., Kryzhanovskaya, N. V. & Cirlin, G. E., 22 июн 2020, в: Journal of Physics: Conference Series. 1537, 1, 012003.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья в журнале по материалам конференции › Рецензирование

  7. 2019

  8. The use of SiC/Si hybrid substrate for MBE growth of thick GaN layers

    Reznik, R., Soshnikov, I., Kukushkin, S., Osipov, A., Talalaev, V. & Cirlin, G., 15 янв 2019, State-of-the-Art Trends of Scientific Research of Artificial and Natural Nanoobjects, STRANN 2018. Petrov, Y. & Vyvenko, O. (ред.). American Institute of Physics, 040004. (AIP Conference Proceedings; том 2064).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › статья в сборнике материалов конференции › научная › Рецензирование

  9. 2018

  10. MBE growth and properties of GaAs, AlGaAs and InAs nanowires on SiC/Si(111) hybrid substrate

    Reznik, R. R., Shtrom, I. V., Soshnikov, I. P., Kukushkin, S. A., Kirilenko, D. A. & Cirlin, G. E., 20 дек 2018, в: Journal of Physics: Conference Series. 1135, 1, 012036.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья в журнале по материалам конференции › Рецензирование

  11. MBE growth and optical properties of III-V nanowires on SiC/Si(111) hybrid substrate

    Reznik, R. R., Kotlyar, K. P., Kukushkin, S. A., Osipov, A. V., Soshnikov, I. P., Nikitina, E. V. & Cirlin, G. E., 13 авг 2018, Proceedings - International Conference Laser Optics 2018, ICLO 2018. Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., стр. 382 1 стр. 8435191. (Proceedings - International Conference Laser Optics 2018, ICLO 2018).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › статья в сборнике материалов конференции › научная › Рецензирование

  12. Фоточувствительное устройство и способ его изготовления.

    Котляр, К. П., Кукушкин, С. А., Осипов, А. В., Резник, Р. Р., Сошников, И. П. & Цырлин, Г. Э., 26 июл 2018, Патент № RU 2685032

    Результаты исследований: Патентование и регистрация прав на ИС › патент

  13. MBE growth of thin AlGaAs nanowires with a complex structure on strongly mismatched SiC/Si(111) substrate

    Reznik, R. R., Shtrom, I. V., Soshnikov, I. P., Kukushkin, S. A., Zeze, D. A. & Cirlin, G. E., 18 июн 2018, в: Journal of Physics: Conference Series. 1038, 1, 012063.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья в журнале по материалам конференции › Рецензирование

  14. Способ получения пластины монокристалла нитрида галлия.

    Буравлев, А. Д., Кукушкин, С. А., Осипов, А. В., Лукьянов, А. В., Тимошнев, С. Н. & Шарофидинов, Ш. Ш., 6 июн 2018, Патент № RU 2683103

    Результаты исследований: Патентование и регистрация прав на ИС › патент

Назад 1 2 3 4 Далее

ID: 70430167