11 - 20 из 39Размер страницы: 10
Сортировать по:: Год публикации
  1. 2022

  2. Спинтронные свойства границы раздела между Si(111) и 3C-SiC(111), выращенным методом согласованного замещения атомов

    Кукушкин, С. А., Осипов, А. В. & Осипова, Е. В., 2022, (Электронная публикация перед печатью) в: ПИСЬМА В "ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ". 48, 20, стр. 43

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. 2021

  4. Dynamic Interaction of Steps and Nanoislands during Growth of a Multicomponent Crystal

    Redkov, A. V. & Kukushkin, S. A., 1 сен 2021, в: Crystal Growth and Design. 21, 9, стр. 4914-4926 13 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  5. Self-Organization of the Composition of AlxGa1 –xN Films Grown on Hybrid SiC/Si Substrates

    Kukushkin, S. A., Sharofidinov, S. S., Osipov, A. V., Grashchenko, A. S., Kandakov, A. V., Osipova, E. V., Kotlyar, K. P. & Ubyivovk, E. V., 1 мар 2021, в: Physics of the Solid State. 63, 3, стр. 442-448 7 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  6. Method for the modification of graphite subsurface layer to a solid mixture of SiC and graphite

    Grashchenko, A. S., Kukushkin, S. A., Osipov, A. V. & Redkov, A. V., 2021, в: Journal of Physics: Conference Series. 2086, 012012.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  7. Молекулярно-пучковая эпитаксия нитевидных нанокристаллов InGaN на подложках SiC/Si(111) и Si(111): сравнительный анализ

    Гридчин, В. О., Резник, Р. Р., Котляр, К. П., Драгунова, А. С., Крыжановская, Н. В., Серов, А. Ю., Кукушкин, С. А. & Цырлин, Г. Э., 2021, в: Письма в Журнал технической физики. 47, 21, стр. 32-35

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  8. Особенности эпитаксиального роста III-N светодиодных гетероструктур на подложках SiC/Si

    Черкашин, Н. А., Сахаров, А. В., Николаев, А. Е., Лундин, В. В., Усов, С. О., Устинов, В. М., Гращенко, А. С., Кукушкин, С. А., Осипов, А. В. & Цацульников, А. Ф., 2021, в: ПИСЬМА В "ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ". 47, 15, стр. 15-18

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  9. Светодиод на основе AlInGaN гетероструктур, выращенных на подложках SiC/Si и технология его изготовления

    Марков, К. Л., Кукушкин, С. А., Смирнова, И. П., Павлюченко, А. С., Гращенко, А. С., Осипов, А. В., Святец, Г. В., Николаев, А. Е., Сахаров, А. В., Лундин, В. В. & Цацульников, А. Ф., 2021, в: Письма в Журнал технической физики. 47, 18, стр. 3-6

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  10. Термодинамическая стабильность твердых растворов InxGa1-xN

    Кукушкин, С. А. & Осипов, А. В., 2021, в: Письма в Журнал технической физики. 47, 19, стр. 51-54

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  11. 2020

  12. MBE synthesis and properties of GaN NWs on SiC/Si substrate and InGaN nanostructures on Si substrate

    Reznik, R. R., Kotlyar, K. P., Khrebtov, A. I., Kukushkin, S. A., Kryzhanovskaya, N. V. & Cirlin, G. E., 22 июн 2020, в: Journal of Physics: Conference Series. 1537, 1, 012003.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья в журнале по материалам конференции › Рецензирование

  13. 2019

  14. The use of SiC/Si hybrid substrate for MBE growth of thick GaN layers

    Reznik, R., Soshnikov, I., Kukushkin, S., Osipov, A., Talalaev, V. & Cirlin, G., 15 янв 2019, State-of-the-Art Trends of Scientific Research of Artificial and Natural Nanoobjects, STRANN 2018. Petrov, Y. & Vyvenko, O. (ред.). American Institute of Physics, 040004. (AIP Conference Proceedings; том 2064).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › статья в сборнике материалов конференции › Рецензирование

Назад 1 2 3 4 Далее

ID: 70430167