DOI

The possibility of InAs nanowires MBE growth on silicon (111) substrates with a nanometer buffer layer of silicon carbide has been demonstrated for the first time. The NWs diameter turned out to be smaller than on the silicon substrate—the minimum of NWs diameter was less than 10 nm. In addition, dependence of structural properties of InGaAs nanowires on composition was studied.

Язык оригиналаанглийский
Страницы (с-по)651-653
Число страниц3
ЖурналSemiconductors
Том52
Номер выпуска5
DOI
СостояниеОпубликовано - 1 мая 2018

    Предметные области Scopus

  • Электроника, оптика и магнитные материалы
  • Атомная и молекулярная физика и оптика
  • Физика конденсатов

ID: 98508788