Результаты

  1. Новый метод релаксации упругих напряжений при росте гетероэпитаксиальных пленок

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  2. Рост пленок SiC, AlN и GaN на кремниевых изделиях произвольной геометрии для микроэлектромеханических применений

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. Особенности зарождения и роста нитевидных нанокристаллов InGaN на подложках SiC/Si методом хлорид-гидридной эпитаксии

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Просмотреть все (11) »

Проекты

  1. Гетероструктуры на основе нитевидных нанокристаллов полупроводниковых соединений III-V и широкозонных полупроводников: фундаментальные исследования и инновационный дизайн функциональных наноматериалов для оптоэлектроники: 2024 г. этап 4

    Проект: исполнение гранта/договора › исполнение этапа гранта/договора

  2. Фундаментальные исследования и инновационный дизайн оптоэлектронных гетероструктур на основе III-V нитевидных нанокристаллов: 2022 г. этап 4

    Проект: исполнение гранта/договора › исполнение этапа гранта/договора

  3. Фундаментальные исследования и инновационный дизайн оптоэлектронных гетероструктур на основе III-V нитевидных нанокристаллов: 2021 г. этап 3

    Проект: исполнение гранта/договора › исполнение этапа гранта/договора

Просмотреть все () »

ID: 70430127