Результаты

  1. Магнитная восприимчивость гибридных структур SiC/Si, синтезированных методом самосогласованного замещения атомов

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  2. Механизм роста эпитаксиальных слоев Ga2O3 методом хлорид-гидридной эпитаксии на подложке SiC/Si (110)

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатья в журнале по материалам конференцииРецензирование

  3. Построение прогнозных моделей для роста тонких пленок SiC/Si с использованием методов машинного обучения

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

Просмотреть все (15) »

ID: 70430127