Результаты

  1. Механизм роста эпитаксиальных слоев Ga2O3 методом хлорид-гидридной эпитаксии на подложке SiC/Si (110)

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  2. Построение прогнозных моделей для роста тонких пленок SiC/Si с использованием методов машинного обучения

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. Эволюция структуры при превращении Si в SiC методом самосогласованного замещения атомов

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Просмотреть все (14) »

Проекты

  1. Фундаментальные исследования и инновационный дизайн оптоэлектронных гетероструктур на основе III-V нитевидных нанокристаллов: 2022 г. этап 4

    Проект: исполнение гранта/договора › исполнение этапа гранта/договора

  2. Фундаментальные исследования и инновационный дизайн оптоэлектронных гетероструктур на основе III-V нитевидных нанокристаллов: 2021 г. этап 3

    Проект: исполнение гранта/договора › исполнение этапа гранта/договора

  3. Разработка методик исследования, модификации свойств и создания веществ и материалов: 2020 г. этап 2

    Проект: исполнение гранта/договора › исполнение этапа гранта/договора

Просмотреть все () »

ID: 70430127