DOI

The fundamental possibility of the growth of GaN layers by molecular-beam epitaxy on a silicon substrate with nanoscale buffer layer of silicon carbide without any AlN layers has been demonstrated for the first time. Morphological properties of the resulting system have been studied.

Язык оригиналаанглийский
Номер статьи032014
ЖурналJournal of Physics: Conference Series
Том917
Номер выпуска3
DOI
СостояниеОпубликовано - 23 ноя 2017
Событие4th International School and Conference "Saint Petersburg OPEN 2017" on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures - Saint-Petersburg, Российская Федерация
Продолжительность: 3 апр 20176 апр 2017

    Предметные области Scopus

  • Физика и астрономия (все)

ID: 99721057