Результаты

  1. Structure and mechanical strength of the interface between epitaxial III-V nanowires and Si substrate

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  2. Plasma deposition of GaN/InP multilayer structures on Si

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. Low-temperature plasma-enhanced atomic layer deposition of Ga2O3 films using N2O plasma for silicon surface passivation

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Просмотреть все (31) »

Проекты

  1. Наноструктуры полупроводниковых соединений III-V с управляемой морфологией и расширенной областью состава для оптоэлектроники: 2026 г., этап 2

    Проект: исполнение гранта/договора › исполнение этапа гранта/договора

Просмотреть все () »

Деятельность

  1. ОСОБЕННОСТИ ФОРМИРОВАНИЯ НЕПЛАНАРНЫХ НАНОСТРУКТУР INGAN В ОБЛАСТИ НЕСМЕШИВАЕМОСТИ И ИХ СВОЙСТВА

    Деятельность: Выступление на научной конференции › выступление с устным докладом

  2. Droplet contact angle controlling the morphology and crystal phase of GaAs and GaP nanowires

    Деятельность: Выступление на научной конференции › выступление с устным докладом

  3. Hexagonal Ge on the side facets of GaAs and AlGaAs nanowires

    Деятельность: Выступление на научной конференции › выступление с устным докладом

Просмотреть все (3) »

ID: 93571534