Результаты

  1. MBE growth and properties of branched AlGaAs nanowires on silicon

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  2. Influence of capping layer growth mode on the photoluminescence of InAs quantum dots in silicon

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. Перенос возбуждения через широкий барьер в системе квантовых ям GaAs/AlGaAs раз-личной ширины

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Просмотреть все (43) »

Проекты

  1. Лаборатория новых полупроводниковых материалов для квантовой информатики и телекоммуникаций

    Проект: исследовательские группы

  2. Новые наноструктурированные InGaN материалы: синтез, свойства и оптоэлектронные приложения: 2025 г. этап 3

    Проект: исполнение гранта/договора › исполнение этапа гранта/договора

  3. Разработка технологии монолитной интеграции A3B5 квантовых точек на кремний.: 2024 г. этап 2

    Проект: исполнение гранта/договора › исполнение этапа гранта/договора

Просмотреть все () »

Деятельность

  1. Светоизлучающие гетероструктуры с InAs квантовыми точками на кремнии

    Деятельность: Выступление на научной конференции › выступление с устным докладом

  2. Рост GaAs нитевидных нанокристаллов с богатой Si каплей на вершине

    Деятельность: Выступление на научной конференции › выступление со стендовым докладом

  3. Рост GaAs нитевидных нанокристаллов с амфотерным катализатором

    Деятельность: Выступление на научной конференции › выступление со стендовым докладом

Просмотреть все (13) »

ID: 3635561