Результаты

  1. Effect of GaAs buffer layer on the characteristics of GaAs NWs grown by molecular beam epitaxy on Si(111) substrates

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья в журнале по материалам конференции › Рецензирование

  2. MBE growth of wurtzite AlGaAs nanowires with zinc-blende insertions

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья в журнале по материалам конференции › Рецензирование

  3. GaAs Nanowire Growth by MBE with Catalyst Forming Eutectic Points with Both Elements

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Просмотреть все (45) »

Проекты

  1. Лаборатория новых полупроводниковых материалов для квантовой информатики и телекоммуникаций

    Проект: исследовательские группы

  2. Новые полупроводниковые материалы для квантовой информатики и телекоммуникаций: 2026 г. этап 5

    Проект: исполнение гранта/договора › исполнение этапа гранта/договора

  3. Новые наноструктурированные InGaN материалы: синтез, свойства и оптоэлектронные приложения: 2026 г. этап 4

    Проект: исполнение гранта/договора › исполнение этапа гранта/договора

Просмотреть все () »

Деятельность

  1. КИНЕТИКА КРИСТАЛЛИЗАЦИИ GaAs НИТЕВИДНЫХ НАНОКРИСТАЛЛОВ С АМФОТЕРНЫМ КАТАЛИЗАТОРОМ

    Деятельность: Выступление на научной конференции › выступление с устным докладом

  2. GaAs nanowires growth with lead catalyst

    Деятельность: Выступление на научной конференции › выступление с устным докладом

  3. Formation of p-type and n-type Si doped (Ga,Al)As nanowires

    Деятельность: Выступление на научной конференции › выступление с устным докладом

Просмотреть все (16) »

ID: 3635561