Результаты

  1. Vapor-Liquid-Solid growth of metal arsenides nanowires with arsenic-rich catalysts

    Результаты исследований: Материалы конференций › материалы › Рецензирование

  2. Effect of GaAs buffer layer on the characteristics of GaAs NWs grown by molecular beam epitaxy on Si(111) substrates

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья в журнале по материалам конференции › Рецензирование

  3. MBE growth of wurtzite AlGaAs nanowires with zinc-blende insertions

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья в журнале по материалам конференции › Рецензирование

Просмотреть все (46) »

Проекты

  1. Полупроводниковые наногетероструктуры для приложений нового поколения, этап 1. 2027 г.

    Проект: исполнение гранта/договора › исполнение этапа гранта/договора

  2. Непланарные III-V наноструктуры переменной размерности для полупроводниковой элементной базы нового поколения: 2026 г. этап 2

    Проект: исполнение гранта/договора › исполнение этапа гранта/договора

  3. Лаборатория новых полупроводниковых материалов для квантовой информатики и телекоммуникаций

    Проект: исследовательские группы

Просмотреть все () »

Деятельность

  1. Vapor-liquid-solid growth of metal arsenides nanowires with arsenic-rich catalysts

    Деятельность: Выступление на научной конференции › выступление с устным докладом

  2. Рост по механизму «пар-жидкость-кристалл» нитевидных нанокристаллов арсенидов металлов третьей группы с мышьяк-растворяющими катализаторами

    Деятельность: Выступление на научной конференции › выступление с устным докладом

  3. КИНЕТИКА КРИСТАЛЛИЗАЦИИ GaAs НИТЕВИДНЫХ НАНОКРИСТАЛЛОВ С АМФОТЕРНЫМ КАТАЛИЗАТОРОМ

    Деятельность: Выступление на научной конференции › выступление с устным докладом

Просмотреть все (18) »

ID: 3635561