Результаты

  1. Influence of the wet-chemical treatment on the optical and structural properties of coreshell InGaN nanowires

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья в журнале по материалам конференции › Рецензирование

  2. Growth of Three-Dimensional InGaN Nanostructures by Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. Низкотемпературный рост нитевидных и пластинчатых нанокристаллов InAs на подложках Si(100)

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Просмотреть все (55) »

Проекты

  1. Новые наноструктурированные InGaN материалы: синтез, свойства и оптоэлектронные приложения: 2024 г. этап 2

    Проект: исполнение гранта/договора › исполнение этапа гранта/договора

  2. Новые наноструктурированные InGaN материалы: синтез, свойства и оптоэлектронные приложения: 2023 г. этап 1

    Проект: исполнение гранта/договора › исполнение этапа гранта/договора

  3. Гетероструктуры на основе нитевидных нанокристаллов полупроводниковых соединений III-V и широкозонных полупроводников: фундаментальные исследования и инновационный дизайн функциональных наноматериалов для оптоэлектроники: 2024 г. этап 4

    Проект: исполнение гранта/договора › исполнение этапа гранта/договора

Просмотреть все () »

Деятельность

  1. Pb -catalyzed GaAs nanowires grown by molecular beam epitaxy on Si substrate

    Деятельность: Выступление на научной конференции › выступление с устным докладом

  2. Size-dependent properties of InAs quantum dots in Si

    Деятельность: Выступление на научной конференции › выступление с устным докладом

  3. Size-dependent properties of InAs quantum dots in Si

    Деятельность: Выступление на научной конференции › выступление со стендовым докладом

Просмотреть все (17) »

ID: 70430060