Результаты

  1. Низкотемпературный рост нитевидных и пластинчатых нанокристаллов InAs на подложках Si(100)

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  2. Формирование наноостровков InAs на поверхности кремния и гетероструктур на их основе

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. Model of a GaAs Quantum Dot in a Direct Band Gap AlGaAs Wurtzite Nanowire

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Просмотреть все (49) »

Проекты

  1. Новые наноструктурированные InGaN материалы: синтез, свойства и оптоэлектронные приложения: 2024 г. этап 2

    Проект: исполнение гранта/договора › исполнение этапа гранта/договора

  2. Новые наноструктурированные InGaN материалы: синтез, свойства и оптоэлектронные приложения: 2023 г. этап 1

    Проект: исполнение гранта/договора › исполнение этапа гранта/договора

  3. Гетероструктуры на основе нитевидных нанокристаллов полупроводниковых соединений III-V и широкозонных полупроводников: фундаментальные исследования и инновационный дизайн функциональных наноматериалов для оптоэлектроники: 2024 г. этап 4

    Проект: исполнение гранта/договора › исполнение этапа гранта/договора

Просмотреть все () »

Деятельность

  1. Непланарные наноструктуры на основе нитридных соединений, полученные методом МПЭ

    Деятельность: Выступление на научной конференции › выступление с приглашенным докладом

  2. СИНТЕЗ СУБМИКРОННЫХ БУФЕРНЫХ СЛОЕВ GAAS ДЛЯ СОЗДАНИЯ ТЕЛЕКОММУНИКАЦИОННЫХ УСТРОЙСТВ НА КРЕМНИИ

    Деятельность: Выступление на научной конференции › выступление со стендовым докладом

  3. ОСОБЕННОСТИ ФОРМИРОВАНИЯ НЕПЛАНАРНЫХ НАНОСТРУКТУР INGAN В ОБЛАСТИ НЕСМЕШИВАЕМОСТИ И ИХ СВОЙСТВА

    Деятельность: Выступление на научной конференции › выступление с устным докладом

Просмотреть все (12) »

ID: 70430060