Результаты

  1. Effect of GaAs buffer layer on the characteristics of GaAs NWs grown by molecular beam epitaxy on Si(111) substrates

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья в журнале по материалам конференции › Рецензирование

  2. GaAs Nanowire Growth by MBE with Catalyst Forming Eutectic Points with Both Elements

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. Tunable photoresponse in GaN-based UV photodetectors via synergetic use of colloidal plasmonic nanowires and nanoparticles

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Просмотреть все (78) »

Проекты

  1. Непланарные III-V наноструктуры переменной размерности для полупроводниковой элементной базы нового поколения: 2025 г. этап 1

    Проект: исполнение гранта/договора › исполнение этапа гранта/договора

  2. Лаборатория новых полупроводниковых материалов для квантовой информатики и телекоммуникаций

    Проект: исследовательские группы

  3. Новые наноструктурированные InGaN материалы: синтез, свойства и оптоэлектронные приложения: 2025 г. этап 3

    Проект: исполнение гранта/договора › исполнение этапа гранта/договора

Просмотреть все () »

Деятельность

  1. Van der Waals Epitaxial Growth of AlN Nanowires on h-BN

    Деятельность: Выступление на научной конференции › выступление со стендовым докладом

  2. Formation of p-type and n-type Si doped (Ga,Al)As nanowires

    Деятельность: Выступление на научной конференции › выступление с устным докладом

  3. Epitaxial growth of AlN nanowires on two-dimensional h-BN flakes transferred onto SiO2/Si substrate

    Деятельность: Выступление на научной конференции › выступление с устным докладом

Просмотреть все (24) »

ID: 70430060