Результаты

  1. Effect of GaAs buffer layer on the characteristics of GaAs NWs grown by molecular beam epitaxy on Si(111) substrates

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья в журнале по материалам конференции › Рецензирование

  2. MBE growth of wurtzite AlGaAs nanowires with zinc-blende insertions

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья в журнале по материалам конференции › Рецензирование

  3. Optical Characterization and Surface Plasmon Polariton Mode Simulation of GaN/InGaN Nanowires on Ag/AlOx Film for Plasmonic Nanolasers

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья в журнале по материалам конференции › Рецензирование

Просмотреть все (80) »

Проекты

  1. Лаборатория новых полупроводниковых материалов для квантовой информатики и телекоммуникаций

    Проект: исследовательские группы

  2. Новые полупроводниковые материалы для квантовой информатики и телекоммуникаций: 2026 г. этап 5

    Проект: исполнение гранта/договора › исполнение этапа гранта/договора

  3. Наноструктуры полупроводниковых соединений III-V с управляемой морфологией и расширенной областью состава для оптоэлектроники: 2026 г., этап 2

    Проект: исполнение гранта/договора › исполнение этапа гранта/договора

Просмотреть все () »

Деятельность

  1. Van der Waals Epitaxial Growth of AlN Nanowires on h-BN

    Деятельность: Выступление на научной конференции › выступление со стендовым докладом

  2. Formation of p-type and n-type Si doped (Ga,Al)As nanowires

    Деятельность: Выступление на научной конференции › выступление с устным докладом

  3. Epitaxial growth of AlN nanowires on two-dimensional h-BN flakes transferred onto SiO2/Si substrate

    Деятельность: Выступление на научной конференции › выступление с устным докладом

Просмотреть все (24) »

ID: 70430060