Результаты

  1. Designing the orientation of GaN nanowires on Si(100) through pore geometry engineering

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  2. Formation of Hexagonal Pedestals in Si-doped GaN Layers Grown on AlN/Si(111) Templates

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › статья в сборнике материалов конференции › Рецензирование

  3. Topographically-Guided van der Waals Epitaxy: Selective Growth of AlN Nanowalls on h-BN Step Edges

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Просмотреть все (83) »

Проекты

  1. Полупроводниковые наногетероструктуры для приложений нового поколения, этап 1. 2027 г.

    Проект: исполнение гранта/договора › исполнение этапа гранта/договора

  2. Непланарные III-V наноструктуры переменной размерности для полупроводниковой элементной базы нового поколения: 2026 г. этап 2

    Проект: исполнение гранта/договора › исполнение этапа гранта/договора

  3. Лаборатория новых полупроводниковых материалов для квантовой информатики и телекоммуникаций

    Проект: исследовательские группы

Просмотреть все () »

Деятельность

  1. Van der Waals Epitaxial Growth of AlN Nanowires on h-BN

    Деятельность: Выступление на научной конференции › выступление со стендовым докладом

  2. Formation of p-type and n-type Si doped (Ga,Al)As nanowires

    Деятельность: Выступление на научной конференции › выступление с устным докладом

  3. Epitaxial growth of AlN nanowires on two-dimensional h-BN flakes transferred onto SiO2/Si substrate

    Деятельность: Выступление на научной конференции › выступление с устным докладом

Просмотреть все (24) »

ID: 70430060