Результаты

  1. MBE growth and properties of branched AlGaAs nanowires on silicon

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  2. Influence of capping layer growth mode on the photoluminescence of InAs quantum dots in silicon

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. Перенос возбуждения через широкий барьер в системе квантовых ям GaAs/AlGaAs раз-личной ширины

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Просмотреть все (72) »

Проекты

  1. Лаборатория новых полупроводниковых материалов для квантовой информатики и телекоммуникаций

    Проект: исследовательские группы

  2. Новые наноструктурированные InGaN материалы: синтез, свойства и оптоэлектронные приложения: 2025 г. этап 3

    Проект: исполнение гранта/договора › исполнение этапа гранта/договора

  3. Исследование кристаллов и кристаллических наноструктур методами оптической, акустической, ЯМР и тепловой спектроскопии

    Проект: исполнение гранта/договора › исполнение гранта/договора в целом

Просмотреть все () »

Деятельность

  1. Рост GaAs нитевидных нанокристаллов с богатой Si каплей на вершине

    Деятельность: Выступление на научной конференции › выступление со стендовым докладом

  2. Рост GaAs нитевидных нанокристаллов с амфотерным катализатором

    Деятельность: Выступление на научной конференции › выступление со стендовым докладом

  3. Перенос возбуждения через широкий барьер в системе квантовых ям GaAs/AlGaAs различной ширины

    Деятельность: Выступление на научной конференции › выступление со стендовым докладом

Просмотреть все (20) »

ID: 70430060