<p num="43">Группа изобретений относится к технологии устройств твердотельной электроники и может быть использована при разработке фотоприемников видимого и ближнего ИК-диапазона. Фоточувствительное устройство имеет электрод и сформированную на нем фоточувствительную слоистую структуру, содержащую подложку кремния с проводимостью р-типа, имеющую поверхность с кристаллографической ориентацией (111), со сформированным на ней слоем карбида кремния. На слое SiC имеется планаризующий слой диэлектрика из светопропускающего полимера. Планаризующий слой вмещает в себя предварительно синтезированный на слое SiC массив наностержней GaN, ориентированных перпендикулярно подложке, на планаризирующем слое сформирован светопропускающий электрод, который обеспечивает электрический контакт с наностержнями. Слои устройства формируют поэтапно. Вначале на подложке кремния, имеющей поверхность с кристаллографической ориентацией (111), формируют SiC методом замещения атомов с образованием углерод-вакансионных структур, затем на сл