<p num="46">Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых материалов, а именно к получению пластин монокристалла широкозонного нитрида галлия (GaN) с гексагональной кристаллической решеткой. Способ получения пластины монокристалла нитрида галлия характеризуется поэтапным формированием слоистой структуры: на первом этапе на подложке Si (111) формируют слой SiC методом замещения атомов с образованием углерод-вакансионных структур, на втором этапе на полученном слое SiC формируют слой GaN N-полярности методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота, на третьем этапе на слое GaN N-полярности формируют слой AlN Al-полярности методом хлорид-гидридной эпитаксии, на четвертом этапе на слое AlN Al-полярности формируют слой GaN Ga-полярности методом хлорид-гидридной эпитаксии, после чего полученную слоистую структуру выдерживают в щелочном травильном растворе до отделения от нее верхнего слоя GaN Ga-полярности. Достигаемый технический результат - высокое кристаллическое совершенс