11 - 20 out of 39Page size: 10
  1. 2022

  2. Спинтронные свойства границы раздела между Si(111) и 3C-SiC(111), выращенным методом согласованного замещения атомов

    Кукушкин, С. А., Осипов, А. В. & Осипова, Е. В., 2022, (E-pub ahead of print) In: ПИСЬМА В "ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ". 48, 20, p. 43

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

  3. 2021

  4. Dynamic Interaction of Steps and Nanoislands during Growth of a Multicomponent Crystal

    Redkov, A. V. & Kukushkin, S. A., 1 Sep 2021, In: Crystal Growth and Design. 21, 9, p. 4914-4926 13 p.

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

  5. Self-Organization of the Composition of AlxGa1 –xN Films Grown on Hybrid SiC/Si Substrates

    Kukushkin, S. A., Sharofidinov, S. S., Osipov, A. V., Grashchenko, A. S., Kandakov, A. V., Osipova, E. V., Kotlyar, K. P. & Ubyivovk, E. V., 1 Mar 2021, In: Physics of the Solid State. 63, 3, p. 442-448 7 p.

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

  6. Method for the modification of graphite subsurface layer to a solid mixture of SiC and graphite

    Grashchenko, A. S., Kukushkin, S. A., Osipov, A. V. & Redkov, A. V., 2021, In: Journal of Physics: Conference Series. 2086, 012012.

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

  7. Молекулярно-пучковая эпитаксия нитевидных нанокристаллов InGaN на подложках SiC/Si(111) и Si(111): сравнительный анализ

    Гридчин, В. О., Резник, Р. Р., Котляр, К. П., Драгунова, А. С., Крыжановская, Н. В., Серов, А. Ю., Кукушкин, С. А. & Цырлин, Г. Э., 2021, In: Письма в Журнал технической физики. 47, 21, p. 32-35

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

  8. Особенности эпитаксиального роста III-N светодиодных гетероструктур на подложках SiC/Si

    Черкашин, Н. А., Сахаров, А. В., Николаев, А. Е., Лундин, В. В., Усов, С. О., Устинов, В. М., Гращенко, А. С., Кукушкин, С. А., Осипов, А. В. & Цацульников, А. Ф., 2021, In: ПИСЬМА В "ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ". 47, 15, p. 15-18

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

  9. Светодиод на основе AlInGaN гетероструктур, выращенных на подложках SiC/Si и технология его изготовления

    Марков, К. Л., Кукушкин, С. А., Смирнова, И. П., Павлюченко, А. С., Гращенко, А. С., Осипов, А. В., Святец, Г. В., Николаев, А. Е., Сахаров, А. В., Лундин, В. В. & Цацульников, А. Ф., 2021, In: Письма в Журнал технической физики. 47, 18, p. 3-6

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

  10. Термодинамическая стабильность твердых растворов InxGa1-xN

    Кукушкин, С. А. & Осипов, А. В., 2021, In: Письма в Журнал технической физики. 47, 19, p. 51-54

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

  11. 2020

  12. MBE synthesis and properties of GaN NWs on SiC/Si substrate and InGaN nanostructures on Si substrate

    Reznik, R. R., Kotlyar, K. P., Khrebtov, A. I., Kukushkin, S. A., Kryzhanovskaya, N. V. & Cirlin, G. E., 22 Jun 2020, In: Journal of Physics: Conference Series. 1537, 1, 012003.

    Research output: Contribution to journal › Conference article › peer-review

  13. 2019

  14. The use of SiC/Si hybrid substrate for MBE growth of thick GaN layers

    Reznik, R., Soshnikov, I., Kukushkin, S., Osipov, A., Talalaev, V. & Cirlin, G., 15 Jan 2019, State-of-the-Art Trends of Scientific Research of Artificial and Natural Nanoobjects, STRANN 2018. Petrov, Y. & Vyvenko, O. (eds.). American Institute of Physics, 040004. (AIP Conference Proceedings; vol. 2064).

    Research output: Chapter in Book/Report/Conference proceeding › Conference contribution › Research › peer-review

Previous 1 2 3 4 Next

ID: 70430167