1. 2021
  2. Молекулярно-пучковая эпитаксия нитевидных нанокристаллов InGaN на подложках SiC/Si(111) и Si(111): сравнительный анализ

    Гридчин, В. О., Резник, Р. Р., Котляр, К. П., Драгунова, А. С., Крыжановская, Н. В., Серов, А. Ю., Кукушкин, С. А. & Цырлин, Г. Э., 2021, In: Письма в Журнал технической физики. 47, 21, p. 32-35

    Research output: Contribution to journalArticlepeer-review

  3. Особенности эпитаксиального роста III-N светодиодных гетероструктур на подложках SiC/Si

    Черкашин, Н. А., Сахаров, А. В., Николаев, А. Е., Лундин, В. В., Усов, С. О., Устинов, В. М., Гращенко, А. С., Кукушкин, С. А., Осипов, А. В. & Цацульников, А. Ф., 2021, In: ПИСЬМА В "ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ". 47, 15, p. 15-18

    Research output: Contribution to journalArticlepeer-review

  4. Светодиод на основе AlInGaN гетероструктур, выращенных на подложках SiC/Si и технология его изготовления

    Марков, К. Л., Кукушкин, С. А., Смирнова, И. П., Павлюченко, А. С., Гращенко, А. С., Осипов, А. В., Святец, Г. В., Николаев, А. Е., Сахаров, А. В., Лундин, В. В. & Цацульников, А. Ф., 2021, In: Письма в Журнал технической физики. 47, 18, p. 3-6

    Research output: Contribution to journalArticlepeer-review

  5. Термодинамическая стабильность твердых растворов InxGa1-xN

    Кукушкин, С. А. & Осипов, А. В., 2021, In: Письма в Журнал технической физики. 47, 19, p. 51-54

    Research output: Contribution to journalArticlepeer-review

  6. 2020
  7. MBE synthesis and properties of GaN NWs on SiC/Si substrate and InGaN nanostructures on Si substrate

    Reznik, R. R., Kotlyar, K. P., Khrebtov, A. I., Kukushkin, S. A., Kryzhanovskaya, N. V. & Cirlin, G. E., 22 Jun 2020, In: Journal of Physics: Conference Series. 1537, 1, 012003.

    Research output: Contribution to journalConference articlepeer-review

  8. 2019
  9. The use of SiC/Si hybrid substrate for MBE growth of thick GaN layers

    Reznik, R., Soshnikov, I., Kukushkin, S., Osipov, A., Talalaev, V. & Cirlin, G., 15 Jan 2019, State-of-the-Art Trends of Scientific Research of Artificial and Natural Nanoobjects, STRANN 2018. Petrov, Y. & Vyvenko, O. (eds.). American Institute of Physics, 040004. (AIP Conference Proceedings; vol. 2064).

    Research output: Chapter in Book/Report/Conference proceedingConference contributionpeer-review

  10. 2018
  11. MBE growth and properties of GaAs, AlGaAs and InAs nanowires on SiC/Si(111) hybrid substrate

    Reznik, R. R., Shtrom, I. V., Soshnikov, I. P., Kukushkin, S. A., Kirilenko, D. A. & Cirlin, G. E., 20 Dec 2018, In: Journal of Physics: Conference Series. 1135, 1, 012036.

    Research output: Contribution to journalConference articlepeer-review

  12. MBE growth and optical properties of III-V nanowires on SiC/Si(111) hybrid substrate

    Reznik, R. R., Kotlyar, K. P., Kukushkin, S. A., Osipov, A. V., Soshnikov, I. P., Nikitina, E. V. & Cirlin, G. E., 13 Aug 2018, Proceedings - International Conference Laser Optics 2018, ICLO 2018. Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., p. 382 1 p. 8435191. (Proceedings - International Conference Laser Optics 2018, ICLO 2018).

    Research output: Chapter in Book/Report/Conference proceedingConference contributionpeer-review

  13. MBE growth of thin AlGaAs nanowires with a complex structure on strongly mismatched SiC/Si(111) substrate

    Reznik, R. R., Shtrom, I. V., Soshnikov, I. P., Kukushkin, S. A., Zeze, D. A. & Cirlin, G. E., 18 Jun 2018, In: Journal of Physics: Conference Series. 1038, 1, 012063.

    Research output: Contribution to journalConference articlepeer-review

ID: 70430167