Результаты

  1. MBE growth and properties of branched AlGaAs nanowires on silicon

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  2. ZnO nanowire-based flexible sensors for pressure and temperature monitoring

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. Рост атомарно-гладких слоев AlN на подложках Si(111) с предварительным формированием аморфного слоя SixNy методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Просмотреть все (51) »

Проекты

  1. Лаборатория новых полупроводниковых материалов для квантовой информатики и телекоммуникаций

    Проект: исследовательские группы

  2. Новые наноструктурированные InGaN материалы: синтез, свойства и оптоэлектронные приложения: 2025 г. этап 3

    Проект: исполнение гранта/договора › исполнение этапа гранта/договора

  3. Новые наноструктурированные InGaN материалы: синтез, свойства и оптоэлектронные приложения: 2024 г. этап 2

    Проект: исполнение гранта/договора › исполнение этапа гранта/договора

Просмотреть все () »

Деятельность

  1. Size-dependent properties of InAs quantum dots in Si

    Деятельность: Выступление на научной конференции › выступление с устным докладом

  2. Photoluminescence enhancement of InGaN core-shell nanowires via wet chemical treatment

    Деятельность: Выступление на научной конференции › выступление с устным докладом

  3. Эффекты самоорганизации при выращивании нитевидных нанокристаллов InGaN методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота

    Деятельность: Выступление на научной конференции › выступление с устным докладом

Просмотреть все (9) »

ID: 51861740