Результаты

  1. Designing the orientation of GaN nanowires on Si(100) through pore geometry engineering

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  2. Ultra-narrow linewidth blue plasmonic single mode nanolasing from MBE-grown GaN nanowires with embedded InGaN quantum wells

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. Topographically-Guided van der Waals Epitaxy: Selective Growth of AlN Nanowalls on h-BN Step Edges

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Просмотреть все (61) »

Проекты

  1. Участие в конференции 33nd International Conference Advanced Laser Technologies (ALT 2026)

    Проект: исполнение гранта/договора › исполнение гранта/договора в целом

  2. Лаборатория новых полупроводниковых материалов для квантовой информатики и телекоммуникаций

    Проект: исследовательские группы

  3. Новые полупроводниковые материалы для квантовой информатики и телекоммуникаций: 2026 г. этап 5

    Проект: исполнение гранта/договора › исполнение этапа гранта/договора

Просмотреть все () »

Деятельность

  1. Vapor-solid-solid growth of GaN nanowires in metastable phase

    Деятельность: Выступление на научной конференции › выступление с устным докладом

  2. Рост политипных нитевидных нанокристаллов GaN по механизму «пар-кристалл-кристалл»

    Деятельность: Выступление на научной конференции › выступление со стендовым докладом

  3. Van der Waals Epitaxial Growth of AlN Nanowires on h-BN

    Деятельность: Выступление на научной конференции › выступление со стендовым докладом

Просмотреть все (17) »

ID: 51861740