Результаты

  1. Topographically-Guided van der Waals Epitaxy: Selective Growth of AlN Nanowalls on h-BN Step Edges

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  2. Ultra-narrow linewidth blue plasmonic single mode nanolasing from MBE-grown GaN nanowires with embedded InGaN quantum wells

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. MBE growth of wurtzite AlGaAs nanowires with zinc-blende insertions

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья в журнале по материалам конференции › Рецензирование

Просмотреть все (60) »

Проекты

  1. Лаборатория новых полупроводниковых материалов для квантовой информатики и телекоммуникаций

    Проект: исследовательские группы

  2. Новые полупроводниковые материалы для квантовой информатики и телекоммуникаций: 2026 г. этап 5

    Проект: исполнение гранта/договора › исполнение этапа гранта/договора

  3. Наноструктуры полупроводниковых соединений III-V с управляемой морфологией и расширенной областью состава для оптоэлектроники: 2026 г., этап 2

    Проект: исполнение гранта/договора › исполнение этапа гранта/договора

Просмотреть все () »

Деятельность

  1. Van der Waals Epitaxial Growth of AlN Nanowires on h-BN

    Деятельность: Выступление на научной конференции › выступление со стендовым докладом

  2. III-N heterostructures in nanowires: synthesis, growth mechanisms and properties

    Деятельность: Выступление на научной конференции › выступление с устным докладом

  3. Formation of p-type and n-type Si doped (Ga,Al)As nanowires

    Деятельность: Выступление на научной конференции › выступление с устным докладом

Просмотреть все (15) »

ID: 51861740