Выполнен теоретико-групповой анализ твердых растворов нитридов индия и галлия InxGa1-xN (0<x<1) и найдены все основные группы симметрии для данных растворов с составом x, представимым в виде рациональной дроби. Методом функционала плотности рассчитаны термодинамические потенциалы основных фаз. Показано, что при малых и больших x, т. е. при 0<x<0.2 и 0.8<x<1, имеется большое количество моноклинных фаз Pm и P21, которые являются стабильными по отношению к распаду на InN и GaN при комнатной температуре. В интервале 0.2<x<0.8 имеются лишь две стабильные орторомбические фазы Cmc21 с составами x=1/3 и 2/3. Рассчитаны все основные геометрические и термодинамические свойства различных фаз InxGa1-xN. Установлено, что стабильность эпитаксиальных пленок InxGa1-xN повышается при росте на InN и уменьшается при росте на GaN.