Результаты

  1. Эволюция структуры при превращении Si в SiC методом самосогласованного замещения атомов

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  2. Рост пленок SiC, AlN и GaN на кремниевых изделиях произвольной геометрии для микроэлектромеханических применений

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  3. Self-Organization of the Composition of AlxGa1 –xN Films Grown on Hybrid SiC/Si Substrates

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

Просмотреть все (5) »

ID: 75991975