Ссылки

DOI

In this work the possibility of thick GaN layers growth by molecular epitaxy on a silicon substrate with nanoscale buffer layer of silicon carbide without any AlN buffer layers was demonstrated for the first time. Morphological and optical properties of the resulting structure are described.

Язык оригиналаанглийский
Название основной публикацииState-of-the-Art Trends of Scientific Research of Artificial and Natural Nanoobjects, STRANN 2018
РедакторыYuri Petrov, Oleg Vyvenko
ИздательAmerican Institute of Physics
ISBN (электронное издание)9780735417922
DOI
СостояниеОпубликовано - 15 янв 2019
СобытиеInternational Conference on State-of-the-Art Trends of Scientific Research of Artificial and Natural Nanoobjects, STRANN 2018 - Moscow, Российская Федерация
Продолжительность: 17 окт 201819 окт 2018

Серия публикаций

НазваниеAIP Conference Proceedings
Том2064
ISSN (печатное издание)0094-243X
ISSN (электронное издание)1551-7616

конференция

конференцияInternational Conference on State-of-the-Art Trends of Scientific Research of Artificial and Natural Nanoobjects, STRANN 2018
Страна/TерриторияРоссийская Федерация
ГородMoscow
Период17/10/1819/10/18

    Предметные области Scopus

  • Физика и астрономия (все)

ID: 98512237