Результаты

1. Рост пленок SiC, AlN и GaN на кремниевых изделиях произвольной геометрии для микроэлектромеханических применений

   Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

2. Особенности зарождения и роста нитевидных нанокристаллов InGaN на подложках SiC/Si методом хлорид-гидридной эпитаксии

   Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

3. Method for the modification of graphite subsurface layer to a solid mixture of SiC and graphite

   Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Просмотреть все (4) »