1. 2018
  2. Solar Cell Based on Core/Shell Nanowires

    Sibirev, N. V., Kotlyar, K. P., Koryakin, A. A., Shtrom, I. V., Ubiivovk, E. V., Soshnikov, I. P., Reznik, R. R., Bouravleuv, A. D. & Cirlin, G. E., 1 дек 2018, в: Semiconductors. 52, 12, стр. 1568-1572 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. MBE Growth and Structural Properties of GaP and InP Nanowires on a SiC Substrate with a Graphene Layer

    Reznik, R. R., Kotlyar, K. P., Ilkiv, I. V., Soshnikov, I. P., Lebedev, S. P., Lebedev, A. A., Kirilenko, D. A., Alexeev, P. A. & Cirlin, G. E., 1 ноя 2018, в: Semiconductors. 52, 11, стр. 1428-1431 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  4. Phosphorus-Based Nanowires Grown by Molecular-Beam Epitaxy on Silicon

    Cirlin, G. E., Reznik, R. R., Samsonenko, Y. B., Khrebtov, A. I., Kotlyar, K. P., Ilkiv, I. V., Soshnikov, I. P., Kirilenko, D. A. & Kryzhanovskaya, N. V., 1 ноя 2018, в: Semiconductors. 52, 11, стр. 1416-1419 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  5. MBE growth and optical properties of III-V nanowires on SiC/Si(111) hybrid substrate

    Reznik, R. R., Kotlyar, K. P., Kukushkin, S. A., Osipov, A. V., Soshnikov, I. P., Nikitina, E. V. & Cirlin, G. E., 13 авг 2018, Proceedings - International Conference Laser Optics 2018, ICLO 2018. Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., стр. 382 1 стр. 8435191. (Proceedings - International Conference Laser Optics 2018, ICLO 2018).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › статья в сборнике материалов конференции › Рецензирование

  6. Фоточувствительное устройство и способ его изготовления.

    Котляр, К. П., Кукушкин, С. А., Осипов, А. В., Резник, Р. Р., Сошников, И. П. & Цырлин, Г. Э., 26 июл 2018, Патент № RU 2685032

    Результаты исследований: Патентование и регистрация прав на ИС › патент

  7. MBE growth and Structural Properties of InAs and InGaAs Nanowires with Different Mole Fraction of In on Si and Strongly Mismatched SiC/Si(111) Substrates

    Reznik, R. R., Kotlyar, K. P., Soshnikov, I. P., Kukushkin, S. A., Osipov, A. V. & Cirlin, G. E., 1 мая 2018, в: Semiconductors. 52, 5, стр. 651-653 3 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  8. New method for MBE growth of GaAs nanowires on silicon using colloidal Au nanoparticles

    Bouravleuv, A., Ilkiv, I., Reznik, R., Kotlyar, K., Soshnikov, I., Cirlin, G. E., Brunkov, P., Kirilenko, D., Bondarenko, L., Nepomnyaschiy, A., Gruznev, D., Zotov, A., Saranin, A., Dhaka, V. & Lipsanen, H., 26 янв 2018, в: Nanotechnology. 29, 4, 045602.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  9. MBE Growth and Optical Properties of GaN, InN, and A3B5 Nanowires on SiC/Si(111) Hybrid Substrate

    Reznik, R. R., Kotlyar, K. P., Ilkiv, I. V., Khrebtov, A. I., Soshnikov, I. P., Kukushkin, S. A., Osipov, A. V., Nikitina, E. V. & Cirlin, G. E., 2018, в: Advances in Condensed Matter Physics. 2018, 1040689.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  10. Temperature annealing effect on ITO film

    Kotlyar, K. P., Kudryashov, D. A., Soshnikov, I. P., Uvarov, A. V. & Reznik, R. R., 2018, в: Journal of Physics: Conference Series. 1124, 4, 041035.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья в журнале по материалам конференции › Рецензирование

  11. 2017
  12. MBE growth and optical properties of GaN layers on SiC/Si(111) hybrid substrate

    Reznik, R. R., Kotlyar, K. P., Soshnikov, I. P., Kukushkin, S. A., Osipov, A. V., Nikitina, E. V. & Cirlin, G. E., 23 ноя 2017, в: Journal of Physics: Conference Series. 917, 3, 032014.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья в журнале по материалам конференции › Рецензирование

ID: 3635640