1. 2026
  2. Topographically-Guided van der Waals Epitaxy: Selective Growth of AlN Nanowalls on h-BN Step Edges

    Даутов, А. М., Дубровский, В. Г., Шугабаев, Т., Лендяшова, В. В., Котляр, К. П., Кузнецов, А., Алексеев, П., Попов, М., Штром, И. В., Toksumakov, A., Ghazaryan, D., Парфёнова, А., Арсенин, А., Большаков, А. Д., Цырлин, Г. Э. & Гридчин, В. О., 15 мар 2026, в: Materials Science in Semiconductor Processing. 204, 110293.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. Formation of Hexagonal Pedestals in Si-doped GaN Layers Grown on AlN/Si(111) Templates

    Даутов, А. М., Шугабаев, Т., Левичев, М., Лендяшова, В. В., Харченко, А., Василькова, Е. И., Кузнецов, А., Котляр, К. П., Цырлин, Г. Э. & Гридчин, В. О., 2026, 2026 IEEE 27th International Conference of Young Professionals in Electron Devices and Materials (EDM). Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., стр. 1-5 5 стр.

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › статья в сборнике материалов конференции › научная › Рецензирование

  4. Host-engineered carbon dot luminescence: integration with nanowires for photonics

    Резник, Р. Р., Kondratev, V. M., Ushkov, A. A., Anikina, M. A., Karaseva, E. P., Kozko, I. A., Vyacheslavova, E. A., Gudovskikh, A. S., Гридчин, В. О., Котляр, К. П., Кузнецов, А., Zakharov, V., Rider, M., Kovova, M. S., Шугабаев, Т., Bazhenov, S. V., Shmakov, S. V., Orlova, A. O., Fedorov, V. V., Цырлин, Г. Э. еще 5, Мухин, И. С., Leiman, V. G., Syuy, A. V., Arsenin, A. V. & Большаков, А. Д., 2026, в: Light: Advanced Manufacturing. 7, 13 стр., 75.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  5. 2025
  6. Effect of GaAs buffer layer on the characteristics of GaAs NWs grown by molecular beam epitaxy on Si(111) substrates

    Лендяшова, В. В., Котляр, К. П., Цырлин, Г. Э., Илькив, И. В. & Хребтов, А. И., 10 дек 2025, в: НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКИЕ ВЕДОМОСТИ САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКОГО ГОСУДАРСТВЕННОГО ПОЛИТЕХНИЧЕСКОГО УНИВЕРСИТЕТА. ФИЗИКО-МАТЕМАТИЧЕСКИЕ НАУКИ. 18, 3.1, стр. 152-155

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья в журнале по материалам конференции › Рецензирование

  7. MBE growth of wurtzite AlGaAs nanowires with zinc-blende insertions

    Андреева, А. С., Илькив, И. В., Котляр, К. П., Хребтов, А. И., Гридчин, В. О., Цырлин, Г. Э. & Резник, Р. Р., дек 2025, в: St. Petersburg State Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics. 18, 3.1, стр. 148–151

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья в журнале по материалам конференции › Рецензирование

  8. Tunable photoresponse in GaN-based UV photodetectors via synergetic use of colloidal plasmonic nanowires and nanoparticles

    Синицкая, О., Шугабаев, Т., Кузнецов, А., Шубина, К. Ю., Гридчин, В. О., Мизеров, А., Уваров, А. В., Поздеев, В., Котляр, К. П., Резник, Р. Р., Большаков, А. Д., Цырлин, Г. Э. & Никитина, Е., 1 ноя 2025, в: Materials Science in Semiconductor Processing. 198, 109737.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  9. Growth of GaN Nanowires with InN Inserts by PA-MBE

    Лендяшова, В. В., Гридчин, В. О., Котляр, К. П., Резник, Р. Р., Цырлин, Г. Э., Шугабаев, Т. & Хребтов, А. И., 18 авг 2025, (Принято в печать) в: St. Petersburg State Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics. 18, 3.1

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья в журнале по материалам конференции › Рецензирование

  10. MBE growth and properties of branched AlGaAs nanowires on silicon

    Резник, Р. Р., Андреева, А. С., Котляр, К. П., Хребтов, А. И., Илькив, И. В., Гридчин, В. О., Сошников, И. П., Syuy, A. V., Кузнецов, А., Большаков, А. Д., Цырлин, Г. Э. & Дубровский, В. Г., 16 мая 2025, в: Nanotechnology. 36, 23, 235601.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  11. EFFECT OF SHORT-TERM HEATING ON THE MORPHOLOGY OF ALF₃ MICROSTRUCTURES

    Штром, И. В., Даутов, А. М., Котляр, К. П., Лендяшова, В. В., Шугабаев, Т., Гридчин, В. О. & Сибирёв, Н. В., 2025, в: St. Petersburg State Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics. 18, 3.1, стр. 283–286

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья в журнале по материалам конференции › Рецензирование

  12. Рост атомарно-гладких слоев AlN на подложках Si(111) с предварительным формированием аморфного слоя SixNy методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота

    Гридчин, В. О., Даутов, А. М., Шугабаев, Т., Лендяшова, В. В., Котляр, К. П., Сотник, Г., Козадоев, Д., Пирогов, Е. В., Резник, Р. Р., Лобанов, Д., Кузнецов, А., Большаков, А. Д. & Цырлин, Г. Э., 2025, в: ПИСЬМА В "ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ". 51, 14, стр. 39-43

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Назад 1 2 3 4 5 6 7 8 ...11 Далее

ID: 3635640