1. 2018
  2. Phosphorus-Based Nanowires Grown by Molecular-Beam Epitaxy on Silicon

    Cirlin, G. E., Reznik, R. R., Samsonenko, Y. B., Khrebtov, A. I., Kotlyar, K. P., Ilkiv, I. V., Soshnikov, I. P., Kirilenko, D. A. & Kryzhanovskaya, N. V., 1 ноя 2018, в: Semiconductors. 52, 11, стр. 1416-1419 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  3. MBE growth and optical properties of III-V nanowires on SiC/Si(111) hybrid substrate

    Reznik, R. R., Kotlyar, K. P., Kukushkin, S. A., Osipov, A. V., Soshnikov, I. P., Nikitina, E. V. & Cirlin, G. E., 13 авг 2018, Proceedings - International Conference Laser Optics 2018, ICLO 2018. Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., стр. 382 1 стр. 8435191. (Proceedings - International Conference Laser Optics 2018, ICLO 2018).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференцийстатья в сборнике материалов конференциинаучнаяРецензирование

  4. Фоточувствительное устройство и способ его изготовления.

    Котляр, К. П., Кукушкин, С. А., Осипов, А. В., Резник, Р. Р., Сошников, И. П. & Цырлин, Г. Э., 26 июл 2018, Патент № RU 2685032

    Результаты исследований: Патентование и регистрация прав на ИСпатент

  5. MBE growth and Structural Properties of InAs and InGaAs Nanowires with Different Mole Fraction of In on Si and Strongly Mismatched SiC/Si(111) Substrates

    Reznik, R. R., Kotlyar, K. P., Soshnikov, I. P., Kukushkin, S. A., Osipov, A. V. & Cirlin, G. E., 1 мая 2018, в: Semiconductors. 52, 5, стр. 651-653 3 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  6. New method for MBE growth of GaAs nanowires on silicon using colloidal Au nanoparticles

    Bouravleuv, A., Ilkiv, I., Reznik, R., Kotlyar, K., Soshnikov, I., Cirlin, G. E., Brunkov, P., Kirilenko, D., Bondarenko, L., Nepomnyaschiy, A., Gruznev, D., Zotov, A., Saranin, A., Dhaka, V. & Lipsanen, H., 26 янв 2018, в: Nanotechnology. 29, 4, 045602.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  7. MBE Growth and Optical Properties of GaN, InN, and A3B5 Nanowires on SiC/Si(111) Hybrid Substrate

    Reznik, R. R., Kotlyar, K. P., Ilkiv, I. V., Khrebtov, A. I., Soshnikov, I. P., Kukushkin, S. A., Osipov, A. V., Nikitina, E. V. & Cirlin, G. E., 2018, в: Advances in Condensed Matter Physics. 2018, 1040689.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  8. Temperature annealing effect on ITO film

    Kotlyar, K. P., Kudryashov, D. A., Soshnikov, I. P., Uvarov, A. V. & Reznik, R. R., 2018, в: Journal of Physics: Conference Series. 1124, 4, 041035.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатья в журнале по материалам конференцииРецензирование

  9. 2017
  10. MBE growth and optical properties of GaN layers on SiC/Si(111) hybrid substrate

    Reznik, R. R., Kotlyar, K. P., Soshnikov, I. P., Kukushkin, S. A., Osipov, A. V., Nikitina, E. V. & Cirlin, G. E., 23 ноя 2017, в: Journal of Physics: Conference Series. 917, 3, 032014.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатья в журнале по материалам конференцииРецензирование

  11. MBE growth of GaAs and InAs nanowires using colloidal Ag nanoparticles

    Ilkiv, I. V., Reznik, R. R., Kotlyar, K. P., Bouravleuv, A. D. & Cirlin, G. E., 23 ноя 2017, в: Journal of Physics: Conference Series. 917, 3, 032035.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатья в журнале по материалам конференцииРецензирование

  12. MBE growth of ultrathin III–V nanowires on a highly mismatched SiC/Si(111) substrate

    Reznik, R. R., Kotlyar, K. P., Shtrom, I. V., Soshnikov, I. P., Kukushkin, S. A., Osipov, A. V. & Cirlin, G. E., 1 ноя 2017, в: Semiconductors. 51, 11, стр. 1472-1476 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

ID: 3635640