51 - 60 из 80Размер страницы: 10
Сортировать по:: Год публикации
  1. 2020

  2. MBE synthesis and properties of GaN NWs on SiC/Si substrate and InGaN nanostructures on Si substrate

    Reznik, R. R., Kotlyar, K. P., Khrebtov, A. I., Kukushkin, S. A., Kryzhanovskaya, N. V. & Cirlin, G. E., 22 июн 2020, в: Journal of Physics: Conference Series. 1537, 1, 012003.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья в журнале по материалам конференции › Рецензирование

  3. Peculiarities of the structural properties of InxGa1-xN polytype nanostructures grown by molecular-beam epitaxy

    Gridchin, V. O., Kotlyar, K. P., Reznik, R. R., Shevchuk, D. S., Kirilenko, D. A., Bert, N. A., Soshnikov, I. P. & Cirlin, G. E., 25 мар 2020, в: Journal of Physics: Conference Series. 1482, 1, 012014.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья в журнале по материалам конференции › Рецензирование

  4. 2019

  5. InGaN nanostructures of a branched morphology on silicon substrate: MBE synthesis and properties

    Reznik, R. R., Kotlyar, K. P., Khrebtov, A. I., Kryzhanovskaya, N. V. & Cirlin, G. E., 20 дек 2019, в: Journal of Physics: Conference Series. 1410, 1, 012052.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья в журнале по материалам конференции › Рецензирование

  6. Photovoltaic properties of InP NWs/p-Si heterostructure

    Kotlyar, K. P., Vershinin, A. V., Reznik, R. R., Pavlov, S. I., Kudryashov, D. A., Zelentsov, K. S., Mozharov, A. M., Karaborchev, A. A., Mukhin, I. S., Soshnikov, I. P. & Cirlin, G. E., 20 дек 2019, в: Journal of Physics: Conference Series. 1410, 1, 012060.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья в журнале по материалам конференции › Рецензирование

  7. Synthesis by Molecular Beam Epitaxy and Properties of InGaN Nanostructures of Branched Morphology on a Silicon Substrate

    Reznik, R. R., Kotlyar, K. P., Kryzhanovskaya, N. V., Morozov, S. V. & Cirlin, G. E., 1 ноя 2019, в: Technical Physics Letters. 45, 11, стр. 1111-1113 3 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  8. Optical properties of AlxGa1-xAs nanowires with different composition in Al

    Shtrom, I. V., Kryzhkov, D. I., Reznik, R. R., Ubyivovk, E. V., Kotlyar, K. P., Samsonenko, Y. B., Khrebtov, A. I., Agekyan, V. F. & Cirlin, G. E., 15 янв 2019, State-of-the-Art Trends of Scientific Research of Artificial and Natural Nanoobjects, STRANN 2018. Petrov, Y. & Vyvenko, O. (ред.). American Institute of Physics, 5 стр. 040005. (AIP Conference Proceedings; том 2064, № 1).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › статья в сборнике материалов конференции › научная › Рецензирование

  9. STRUCTAL AND OPTICAL PROPERTIES AlGaAs NANOWIRES GROWN BY MBE ON Si(111) SUBSTRATE

    Философов, Н. Г., Вершинин, А. В., Штром, И. В., Котляр, К. П., Серов, А. Ю., Самсоненко, Ю. Б., Илкиев, Резник, Р. Р. & Цирлин, Г., 2019, в: Journal of Physics: Conference Series. 1410, 3 стр., 012062.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  10. 2018

  11. Structural and Optical Properties of Wurtzite Algaas Nanowires Grown by MBE on Si(111) Substrate

    Shtrom, I. V., Kotlyar, K. P., Filosofov, N. G., Serov, A. Y., Krizhkov, D. I., Samsonenko, Y. B., Ilkiev, I. V., Reznik, R. R., Agekyan, V. F. & Cirlin, G. E., 17 дек 2018, в: Semiconductors. 52, 16, стр. 2146-2148 3 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  12. Solar Cell Based on Core/Shell Nanowires

    Sibirev, N. V., Kotlyar, K. P., Koryakin, A. A., Shtrom, I. V., Ubiivovk, E. V., Soshnikov, I. P., Reznik, R. R., Bouravleuv, A. D. & Cirlin, G. E., 1 дек 2018, в: Semiconductors. 52, 12, стр. 1568-1572 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  13. MBE Growth and Structural Properties of GaP and InP Nanowires on a SiC Substrate with a Graphene Layer

    Reznik, R. R., Kotlyar, K. P., Ilkiv, I. V., Soshnikov, I. P., Lebedev, S. P., Lebedev, A. A., Kirilenko, D. A., Alexeev, P. A. & Cirlin, G. E., 1 ноя 2018, в: Semiconductors. 52, 11, стр. 1428-1431 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Назад 12 3 4 5 6 7 8 Далее

ID: 3635640