61 - 70 out of 98Page size: 10
  1. 2021

  2. Направленное излучение из квантовых точек GaAs в теле нитевидных нанокристаллов AlGaAs

    Цырлин, Г. Э., Резник, Р. Р., Котляр, К. П., Сошников, И. П., Морозов, К. М., Крестников, И. Л., Leandro, L. & Akopian, N., 2021, In: ПИСЬМА В "ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ". 47, 8

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

  3. О повышении внутриглазного давления после интравитреальных инъекций

    Бауэр, С. М., Воронкова, Е. Б. & Котляр, К., 2021, In: Российский офтальмологический журнал. 14, 4, p. 126-129 4 p.

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

  4. Формирование гексагональной фазы германия на поверхности нитевидных нанокристаллов AlGaAs методом молекулярно-пучковой эпитакси

    Илькив, И. В., Котляр, К. П., Кириленко, Д. А., Осипов, А. В., Сошников, И. П., Теплицкий, А. Н. & Цырлин, Г. Э., 2021, In: ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ. 8, p. 621-624

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

  5. 2020

  6. Electrical properties of InGaN nanostructures with branched morphology synthesized via MBE on p-type Si(111)

    Gridchin, V. O., Kotlyar, K. P., Reznik, R. R., Borodin, B. R., Kudryashov, D. A., Alekseev, P. A. & Cirlin, G. E., 28 Dec 2020, In: Journal of Physics: Conference Series. 1695, 1, 012030.

    Research output: Contribution to journal › Conference article › peer-review

  7. Multiply GaAs quantum dots in AlGaAs nanowires: MBE growth and properties

    Reznik, R. R., Kotlyar, K. P., Khrebtov, A. I., Samsonenko, Y. B., Shtrom, I. V. & Cirlin, G. E., 28 Dec 2020, In: Journal of Physics: Conference Series. 1695, 1, 012205.

    Research output: Contribution to journal › Conference article › peer-review

  8. Wet chemical etching of GaN or InGaN nanowires on Si substrate for micro and nano-devises fabrication

    Lendyashova, V. V., Kotlyar, K. P., Reznik, R. R., Berezovskaya, T. N., Nikitina, E. V., Soshnikov, I. P. & Cirlin, G. E., 28 Dec 2020, In: Journal of Physics: Conference Series. 1695, 1, 012047.

    Research output: Contribution to journal › Conference article › peer-review

  9. Selective-Area Growth of GaN Nanowires on Patterned SiO x/Si Substrates by Molecular Beam Epitaxy

    Gridchin, V. O., Kotlyar, K. P., Reznik, R. R., Dvoretskaya, L. N., Parfen’eva, A. V., Mukhin, I. S. & Cirlin, G. E., Nov 2020, In: Technical Physics Letters. 46, 11, p. 1080-1083 4 p.

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

  10. Synthesis of Morphologically Developed InGaN Nanostructures on Silicon: Influence of the Substrate Temperature on the Morphological and Optical Properties

    Reznik, R. R., Gridchin, V. O., Kotlyar, K. P., Kryzhanovskaya, N. V., Morozov, S. V. & Cirlin, G. E., 1 Sep 2020, In: Semiconductors. 54, 9, p. 1075-1077 3 p.

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

  11. MBE synthesis and properties of GaN NWs on SiC/Si substrate and InGaN nanostructures on Si substrate

    Reznik, R. R., Kotlyar, K. P., Khrebtov, A. I., Kukushkin, S. A., Kryzhanovskaya, N. V. & Cirlin, G. E., 22 Jun 2020, In: Journal of Physics: Conference Series. 1537, 1, 012003.

    Research output: Contribution to journal › Conference article › peer-review

  12. Peculiarities of the structural properties of InxGa1-xN polytype nanostructures grown by molecular-beam epitaxy

    Gridchin, V. O., Kotlyar, K. P., Reznik, R. R., Shevchuk, D. S., Kirilenko, D. A., Bert, N. A., Soshnikov, I. P. & Cirlin, G. E., 25 Mar 2020, In: Journal of Physics: Conference Series. 1482, 1, 012014.

    Research output: Contribution to journal › Conference article › peer-review

Previous 1...3 4 5 6 7 8 9 10 Next

ID: 3635640