Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья в журнале по материалам конференции › Рецензирование
A possibility of InGaN nanostructures of a branched morphology MBE growth on Si substrate has been demonstrated. The results of morphological studies have shown that InGaN synthesis occurs in several stages. InGaN nanostructures turned out to be optically active at room temperature and have a wide radiation visible range.
| Язык оригинала | английский |
|---|---|
| Номер статьи | 012052 |
| Журнал | Journal of Physics: Conference Series |
| Том | 1410 |
| Номер выпуска | 1 |
| DOI | |
| Состояние | Опубликовано - 20 дек 2019 |
| Событие | 6th International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures, SPbOPEN 2019 - Saint Petersburg, Российская Федерация Продолжительность: 22 апр 2019 → 25 апр 2019 |
ID: 98505914