1. 2026
  2. Designing the orientation of GaN nanowires on Si(100) through pore geometry engineering

    Dautov, A. M., Sibirev, N. V., Fedorov, V. V., Kharchenko, A. A., Terpitskiy, A. N., Sattorov, M. S., Spivak, Y. M., Vasilkova, E. I., Miniv, D. V., Shugabaev, T., Andreeva, A. S., Lendyashova, V. V., Timur, K. D., Kuznetsov, A., Shtrom, I. V., Reznik, R. R., Cirlin, G. E. & Gridchin, V. O., 1 ноя 2026, в: Materials Science in Semiconductor Processing. 214, 110925.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. Rate equation analysis of island-size distribution and Family-Vicsek scaling in homogeneous growth with size-linear capture numbers

    Дубровский, В. Г. & Сибирев, Н. В., 2 сен 2026, (Принято в печать) в: Material Physics and Mechanics. 54 , 5

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  4. Vapor-Liquid-Solid growth of metal arsenides nanowires with arsenic-rich catalysts

    Штром, И. В., Сибирев, Н. В., Илькив, И. В., Сошников, И. П. & Убыйвовк, Е. В., 1 июн 2026, стр. 283.

    Результаты исследований: Материалы конференций › материалы › Рецензирование

  5. Vapor-solid-solid growth of GaN nanowires in metastable phase

    Сибирев, Н. В., Штром, И. В. & Даутов, А. М., 2026, в: IEEE Xplore Digital Library.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья в журнале по материалам конференции › Рецензирование

  6. 2025
  7. GaAs Nanowire Growth by MBE with Catalyst Forming Eutectic Points with Both Elements

    Сибирёв, Н. В., Сошников, И. П., Илькив, И. В., Убыйвовк, Е. В., Цырлин, Г. Э. & Штром, И. В., 1 ноя 2025, в: Nanomaterials. 15, 21, 1664.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  8. EFFECT OF SHORT-TERM HEATING ON THE MORPHOLOGY OF ALF₃ MICROSTRUCTURES

    Штром, И. В., Даутов, А. М., Котляр, К. П., Лендяшова, В. В., Шугабаев, Т., Гридчин, В. О. & Сибирёв, Н. В., 2025, в: St. Petersburg State Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics. 18, 3.1, стр. 283–286

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья в журнале по материалам конференции › Рецензирование

  9. Two bands in PL spectra of InGaN/GaN superlattice embedded in GaN nanowire

    Сибирёв, Н. В., Штром, И. В., Субботина, А. С., Субботина, Е. А., Серов, А. Ю., Философов, Н. Г., Гридчин, В. О. & Цырлин, Г. Э., 2025, (Принято в печать) в: НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКИЕ ВЕДОМОСТИ САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКОГО ГОСУДАРСТВЕННОГО ПОЛИТЕХНИЧЕСКОГО УНИВЕРСИТЕТА. ФИЗИКО-МАТЕМАТИЧЕСКИЕ НАУКИ. 18, 4.1, стр. 44-48

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья в журнале по материалам конференции › Рецензирование

  10. Управление направлением роста планарных нитевидных нанокристаллов

    Сибирёв, Н. В. & Штром, И. В., 2025, в: ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ. 4, стр. 195-198

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  11. 2024
  12. Lead Catalyzed GaAs Nanowires Grown by Molecular Beam Epitaxy

    Штром, И. В., Сибирёв, Н. В., Сошников, И. П., Илькив, И. В., Убыйвовк, Е. В., Резник, Р. Р. & Цырлин, Г. Э., 21 ноя 2024, в: Nanomaterials. 14, 23, 1860.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  13. Recent Advances in the Growth and Compositional Modelling of III–V Nanowire Heterostructures

    Лещенко, Е. Д. & Сибирёв, Н. В., 13 ноя 2024, в: Nanomaterials. 14, 22, 1816.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › Обзорная статья › Рецензирование

Назад 1 2 3 4 5 6 7 8 9 Далее

ID: 190900