Результаты

  1. Designing the orientation of GaN nanowires on Si(100) through pore geometry engineering

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  2. Topographically-Guided van der Waals Epitaxy: Selective Growth of AlN Nanowalls on h-BN Step Edges

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. Formation of Hexagonal Pedestals in Si-doped GaN Layers Grown on AlN/Si(111) Templates

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › статья в сборнике материалов конференции › научная › Рецензирование

Просмотреть все (18) »

Проекты

  1. Участие в международной конференции "33rd International Conference on Advanced Laser Technologies (ALT’26)"

    Проект: исполнение гранта/договора › исполнение гранта/договора в целом

  2. Управление составом в нанoструктурах тройных полупроводниковых соединений III-V: 2026 г. этап 1

    Проект: исполнение гранта/договора › исполнение этапа гранта/договора

  3. Наноструктуры полупроводниковых соединений III-V с управляемой морфологией и расширенной областью состава для оптоэлектроники: 2026 г., этап 2

    Проект: исполнение гранта/договора › исполнение этапа гранта/договора

Просмотреть все () »

Деятельность

  1. Epitaxial growth of GaN pedestals on Si with an AlN buffer layer

    Деятельность: Выступление на научной конференции › выступление с устным докладом

  2. Vapor-solid-solid growth of GaN nanowires in metastable phase

    Деятельность: Выступление на научной конференции › выступление с устным докладом

  3. Van der Waals Epitaxial Growth of AlN Nanowires on h-BN

    Деятельность: Выступление на научной конференции › выступление со стендовым докладом

Просмотреть все (7) »

ID: 108143992