Результаты

  1. Nucleation-Limited Kinetics of GaAs Nanostructures Grown by Selective Area Epitaxy: Implications for Shape Engineering in Optoelectronics Devices

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  2. Interplay of kinetic and thermodynamic factors in the stationary composition of vapor-liquid-solid IIIVxV1-x nanowires

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  3. Selective Area HVPE of InGaAs Nanowires with Widely Tunable Composition on Si Substrates for Nanoscale Device Integration on Si Platforms

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

Просмотреть все (116) »

Деятельность

  1. "Tuning the composition of III-V ternary nanomaterials by V/III flux ratio

    Деятельность: Выступление на научной конференциивыступление с устным докладом

  2. Coalescence of III-V and III -nitride nanowires

    Деятельность: Выступление на научной конференциивыступление со стендовым докладом

  3. Modeling approaches for the compositional control in ternary nanowires and heterostructures

    Деятельность: Выступление на научной конференциивыступление со стендовым докладом

Просмотреть все (16) »

ID: 148847