1. 2019
  2. Growth of GaN Nanotubes and Nanowires on Au–Ni Catalysts

    Sibirev, N. V., Huang, H., Ubyivovk, E. V., Lv, R., Zhao, D., Guang, Q., Berdnikov, Y. S., Yan, X., Koryakin, A. A. & Shtrom, I. V., 1 фев 2019, в: Technical Physics Letters. 45, 2, стр. 159-162 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  3. 2018
  4. Solar Cell Based on Core/Shell Nanowires

    Sibirev, N. V., Kotlyar, K. P., Koryakin, A. A., Shtrom, I. V., Ubiivovk, E. V., Soshnikov, I. P., Reznik, R. R., Bouravleuv, A. D. & Cirlin, G. E., 1 дек 2018, в: Semiconductors. 52, 12, стр. 1568-1572 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  5. Dopant-stimulated growth of GaN nanotube-like nanostructures on Si(111) by molecular beam epitaxy

    Bolshakov, A. D., Mozharov, A. M., Sapunov, G. A., Shtrom, I. V., Sibirev, N. V., Fedorov, V. V., Ubyivovk, E. V., Tchernycheva, M., Cirlin, G. E. & Mukhin, I. S., 15 янв 2018, в: Beilstein Journal of Nanotechnology. 9, 1, стр. 146-154 9 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  6. GaP/Si(111) Nanowire Crystals Synthesized by Molecular-Beam Epitaxy with Switching between the Hexagonal and Cubic Phases

    Shtrom, I. V., Sibirev, N. V., Ubiivovk, E. V., Samsonenko, Y. B., Khrebtov, A. I., Reznik, R. R., Bouravleuv, A. D. & Cirlin, G. E., 1 янв 2018, в: Semiconductors. 52, 1

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  7. Нитевидные нанокристаллы GaP/Si (111), синтезированные методом молекулярно-пучковой эпитаксии с переключением гексагональной и кубической фазy ∗

    Штром, И. В., Сибирёв, Н. В., Убыйвовк, Е. В., Самсоненко, Ю. Б., Хребтов, А. И., Резник, Р. Р., Буравлев, А. Д. & Цирлин, Г., 2018, в: ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ. 52, 1

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  8. Солнечный элемент на основе нитевидных нанокристаллов с радиальным гетеропереходом

    Сибирёв, Н. В., Корякин, А. А., Штром, И. В., Убыйвовк, Е. В., Сошников, И. П., Резник, Р. Р., Буравлев, А. Д. & Цирлин, Г., 2018, в: ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ. 52, 12

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  9. 2017
  10. Modeling of semiconductor nanowire selective-area MOCVD growth

    Koriakin, A. A., Reiter, M., Sokolova, Z. V. & Sibirev, N. V., 23 ноя 2017, в: Journal of Physics: Conference Series. 917, 3, 032036.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  11. Understanding the composition of ternary III-V nanowires and axial nanowire heterostructures in nucleation-limited regime

    Dubrovskii, V. G., Koryakin, A. A. & Sibirev, N. V., 15 окт 2017, в: Materials and Design. 132, стр. 400-408 9 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  12. Sub-Poissonian length distributions of vapor-liquid-solid nanowires induced by nucleation antibunching

    Dubrovskii, V. G. & Sibirev, N. V., 28 июн 2017, в: Journal Physics D: Applied Physics. 50, 25, 5 стр., 254004.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  13. 2016
  14. On a new method of heterojunction formation in III-V nanowires

    Sibirev, N. V., Koryakin, A. A. & Dubrovskii, V. G., дек 2016, в: Semiconductors. 50, 12, стр. 1566-1568 3 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

ID: 190900