1. 2010
  2. SURFACE ENERGY AND CRYSTAL STRUCTURE OF NANOWHISKERS OF III-V SEMICONDUCTOR COMPOUNDS

    Sibirev, N. V., Bol'shakov, A. D., Nazarenko, M. V., Dubrovski, V. G. & Timofeeva, M. A., 2010, в: Physics of the Solid State. 52, 7, стр. 1531-1538

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатья

  3. Начальный этап роста нитевидных нанокристаллов

    Сибирёв, Н. В., Назаренко, М. В., Цырлин, Г. Э., Самсоненко, Ю. Б. & Дубровский, В. Г., 2010, в: ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ. 44, 1, стр. 114-117

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  4. 2009
  5. FEATURES OF NUCLEATION IN NANOVOLUMES

    Dubrovskii, V. G., Nazarenko, M. V. & Sibirev, N. V., 2009, в: Technical Physics Letters. 35, 12, стр. 1117-1120

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатья

  6. Optical properties of GaAs nanowires studied by low temperature photoluminescence

    Novikov, B. V., A.Yu., S., Filosofov, N. G., Shtrom, I. V., Talalaev, V. G., Vyvenko, O. F., Ubyivovk, E. V., Samsonenko, Y. B., Bouravleuv, A. D., Soshnikov, I. P., Sibirev, N. V., Dubrovskii, V. G. & Cirlin, G. E., 2009, 17th International Symposium NANOSTRUCTURES: Physics and Technology: proceedings. Minsk: ФТИ им.Иоффе, стр. 186-187

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференцийстатья в сборнике материалов конференциинаучная

  7. 2007
  8. КОМПЬЮТЕРНОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ РОСТА КОГЕРЕНТНЫХ ОСТРОВКОВ В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СИСТЕМАХ GE/SI И INAS/GAAS

    Сафонов, К. Л., Дубровский, В. Г., Сибирев, Н. В. & Трушин, Ю. В., 2007, в: ПИСЬМА В "ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ". 33, 11, стр. 87-94

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  9. 2006
  10. INFLUENCE OF MBE GROWTH CONDITIONS ON THE SURFACE MORPHOLOGY OF AL(GA)AS NANOWHISKERS

    Tonkikh, A. A., Cirlin, G. E., Dubrovskii, V. G., Soshnikov, I. P., Samsonenko, Y. B., Polyakov, N. K., Ustinov, V. M. & Sibirev, N. V., 2006, в: Physica Status Solidi (A) Applications and Materials. 203, 6, стр. 1365-1369

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатья

  11. THE BAND STRUCTURE AND PHOTOLUMINESCENCE IN A GE

    Sibirev, N. V., 2006, в: Semiconductors. 40, 2, стр. 224-228

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатья

  12. THE ROLE OF SURFACE DIFFUSION OF ADATOMS IN THE FORMATION OF NANOWIRE CRYSTALS

    Dubrovski, V. G., Cirlin, G. ., Ustinov, V. M., Suris, R. A., Sibirev, N. V., Tchernysheva, M. & Harmand, J. C., 2006, в: Semiconductors. 40, 9, стр. 1075-1082

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатья

  13. АНАЛИЗ КИНЕТИКИ ФОРМИРОВАНИЯ МАССИВОВ ВИСКЕРНЫХ СТРУКТУР НА ПОВЕРХНОСТИ INР И GAAS ПРИ РАСПЫЛЕНИИ ИОНАМИ АR

    Сошников, И. П., Дубровский, В. Г. & Сибирев, Н. В., 2006, АНАЛИЗ КИНЕТИКИ ФОРМИРОВАНИЯ МАССИВОВ ВИСКЕРНЫХ СТРУКТУР НА ПОВЕРХНОСТИ INР И GAAS ПРИ РАСПЫЛЕНИИ ИОНАМИ АR. стр. 813-816

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференцийстатья в сборникенаучная

  14. ЗОННАЯ СТРУКТУРА И СПЕКТР ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ СВЕРХРЕШЕТКИ GE

    Сибирев, Н. В., Талалаев, В. Г., Тонких, А. А., Цырлин, Г. Э., Дубровский, В. Г., Захаров, Н. Д. & Werner, P., 2006, в: ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ. 40, 2, стр. 230-234

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

ID: 190900