Результаты

1. Designing the orientation of GaN nanowires on Si(100) through pore geometry engineering

   Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

2. Formation of Hexagonal Pedestals in Si-doped GaN Layers Grown on AlN/Si(111) Templates

   Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › статья в сборнике материалов конференции › Рецензирование

3. Topographically-Guided van der Waals Epitaxy: Selective Growth of AlN Nanowalls on h-BN Step Edges

   Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Просмотреть все (21) »