Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья в журнале по материалам конференции › Рецензирование
Принятая к публикации рукопись автора, 530 KB, Документ PDF
| Переведенное название | Влияние буферного слоя GaAs на характеристики GaAs ННК, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках Si(111) |
|---|---|
| Язык оригинала | английский |
| Журнал | НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКИЕ ВЕДОМОСТИ САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКОГО ГОСУДАРСТВЕННОГО ПОЛИТЕХНИЧЕСКОГО УНИВЕРСИТЕТА. ФИЗИКО-МАТЕМАТИЧЕСКИЕ НАУКИ |
| Состояние | Принято в печать - 2025 |
ID: 141918452