Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья в журнале по материалам конференции › Рецензирование
Принятая к публикации рукопись автора, 530 KB, Документ PDF
Конечная издательская версия
| Переведенное название | Влияние буферного слоя GaAs на характеристики GaAs ННК, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках Si(111) |
|---|---|
| Язык оригинала | английский |
| Страницы (с-по) | 152-155 |
| Журнал | НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКИЕ ВЕДОМОСТИ САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКОГО ГОСУДАРСТВЕННОГО ПОЛИТЕХНИЧЕСКОГО УНИВЕРСИТЕТА. ФИЗИКО-МАТЕМАТИЧЕСКИЕ НАУКИ |
| Том | 18 |
| Номер выпуска | 3.1 |
| DOI | |
| Состояние | Опубликовано - 10 дек 2025 |
| Событие | Школа-конференция с международным участием по оптоэлектронике, фотонике и наноструктурам Saint Petersburg OPEN 2025 - Санкт-Петербург, Санкт-Петербург, Российская Федерация Продолжительность: 20 мая 2025 → 23 мая 2025 https://spb.hse.ru/spbopen/ |
ID: 141918452