1 - 10 out of 35Page size: 10
  1. 2024

  2. Влияние олова на свойства нитрида галлия, выращенного методом хлорид-гидридной газофазной эпитаксии

    Кукушкин, С. А. & Редьков, А. В., 2024, In: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА.

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

  3. 2023

  4. Изменение упругих деформаций в плёнках SiC в процессе роста методом согласованного замещения атомов на подложках Si

    Еремеев, Ю. А., Воробьев, А. С., Гращенко, А. С., Семенча, А. В., Осипов, А. В. & Кукушкин, С. А., 2023, In: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА. 65, 1, p. 71

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

  5. Новый метод релаксации упругих напряжений при росте гетероэпитаксиальных пленок

    Корякин, А. А., Кукушкин, С. А., Осипов, А. В., Шарофидинов, Ш. Ш. & Щеглов, М. П., 2023, In: ИЗВЕСТИЯ РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК. МЕХАНИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА. 3, p. 58-72

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

  6. Рост пленок SiC, AlN и GaN на кремниевых изделиях произвольной геометрии для микроэлектромеханических применений

    Кондратенко, Т. Т., Гращенко, А. С., Осипов, А. В., Редьков, А. В., Убыйвовк, Е. В., Шарофидинов, Ш. Ш. & Кукушкин, С. А., 2023, In: Письма в ЖурналТехнической Физики. 49, 11, p. 3-8

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

  7. 2022

  8. On the Growth of Thin-Film AlGaN/GaN Epitaxial Heterostructures on Hybrid Substrates Containing Layers of Silicon Carbide and Porous Silicon

    Seredin, P. V., Radam, A. O., Goloshchapov, D. L., Len’shin, A. S., Buylov, N. S., Barkov, K. A., Nesterov, D. N., Mizerov, A. M., Timoshnev, S. N., Nikitina, E. V., Arsentyev, I. N., Sharafidinov, S., Kukushkin, S. A. & Kasatkin, I. A., 29 Jun 2022, In: Semiconductors. 56, 4, p. 253-258 6 p.

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

  9. Особенности зарождения и роста нитевидных нанокристаллов InGaN на подложках SiC/Si методом хлорид-гидридной эпитаксии

    Кукушкин, С. А., Осипов, А. В., Редьков, А. В., Стожаров, В. М., Убыйвовк, Е. В. & Шарофидинов, Ш. Ш., 2022, In: ПИСЬМА В "ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ". 48, 4, p. 24-28

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

  10. Спинтронные свойства границы раздела между Si(111) и 3C-SiC(111), выращенным методом согласованного замещения атомов

    Кукушкин, С. А., Осипов, А. В. & Осипова, Е. В., 2022, (E-pub ahead of print) In: ПИСЬМА В "ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ". 48, 20, p. 43

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

  11. 2021

  12. Dynamic Interaction of Steps and Nanoislands during Growth of a Multicomponent Crystal

    Redkov, A. V. & Kukushkin, S. A., 1 Sep 2021, In: Crystal Growth and Design. 21, 9, p. 4914-4926 13 p.

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

  13. Self-Organization of the Composition of AlxGa1 –xN Films Grown on Hybrid SiC/Si Substrates

    Kukushkin, S. A., Sharofidinov, S. S., Osipov, A. V., Grashchenko, A. S., Kandakov, A. V., Osipova, E. V., Kotlyar, K. P. & Ubyivovk, E. V., 1 Mar 2021, In: Physics of the Solid State. 63, 3, p. 442-448 7 p.

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

  14. Method for the modification of graphite subsurface layer to a solid mixture of SiC and graphite

    Grashchenko, A. S., Kukushkin, S. A., Osipov, A. V. & Redkov, A. V., 2021, In: Journal of Physics: Conference Series. 2086, 012012.

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

Previous 1 2 3 4 Next

ID: 70430167