1 - 10 out of 41Page size: 10
  1. 2026

  2. Three stages of Si transformation into SiC by the method of coordinated substitution of atoms

    Кукушкин, С. А., Убыйвовк, Е. В., Воробьёв, М. Г., Grashchenko, A. S. & Осипов, А. В., 1 Apr 2026, In: Thin Solid Films. 839, 10 p., 140908.

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

  3. 2025

  4. Магнетизм гибридных структур SiC/Si, синтезированных методом вакансионного согласованного замещения атомов

    Романов, В. В., Руль, Н. И., Веневцев, И. Д., Королев, А. В., Кукушкин, С. А. & Баграев, Н. Т., 2025, In: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА. 8, p. 1573-1578

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

  5. Магнитная восприимчивость гибридных структур SiC/Si, синтезированных методом самосогласованного замещения атомов

    Кукушкин, С. А., Руль, Н. И., Убыйвовк, Е. В., Осипов, А. В., Романов, В. В. & Баграев, Н. Т., 2025, In: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА. 67, 4, p. 624-634

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

  6. Механизм роста эпитаксиальных слоев Ga2O3 методом хлорид-гидридной эпитаксии на подложке SiC/Si (110)

    Кукушкин, С. А., Осипов, А. В., Убыйвовк, Е. В., Осипова, Е. В. & Шарофидинов, Ш. Ш., 2025, In: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА. 67, 1, p. 105-113

    Research output: Contribution to journal › Conference article › peer-review

  7. Построение прогнозных моделей для роста тонких пленок SiC/Si с использованием методов машинного обучения

    Редьков, А. В., Роженцев, Д. В., Гращенко, А. С., Осипов, А. В. & Кукушкин, С. А., 2025, In: ПИСЬМА В "ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ". 51, 22, p. 31-35

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

  8. 2024

  9. Влияние олова на свойства нитрида галлия, выращенного методом хлорид-гидридной газофазной эпитаксии

    Кукушкин, С. А. & Редьков, А. В., 2024, In: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА.

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

  10. Эффекты самоорганизации при выращивании нитевидных нанокристаллов InGaN методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота

    Резник, Р. Р., Гридчин, В. О., Котляр, К. П., Убыйвовк, Е. В., Кукушкин, С. А. & Цырлин, Г. Э., 2024, Труды XXVIII Международного симпозиума НАНОФИЗИКА И НАНОЭЛЕКТРОНИКА . Институт прикладной физики РАН, Vol. 2. p. 623-624 2 p.

    Research output: Chapter in Book/Report/Conference proceeding › Conference contribution › Research › peer-review

  11. 2023

  12. Изменение упругих деформаций в плёнках SiC в процессе роста методом согласованного замещения атомов на подложках Si

    Еремеев, Ю. А., Воробьев, А. С., Гращенко, А. С., Семенча, А. В., Осипов, А. В. & Кукушкин, С. А., 2023, In: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА. 65, 1, p. 71

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

  13. Новый метод релаксации упругих напряжений при росте гетероэпитаксиальных пленок

    Корякин, А. А., Кукушкин, С. А., Осипов, А. В., Шарофидинов, Ш. Ш. & Щеглов, М. П., 2023, In: ИЗВЕСТИЯ РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК. МЕХАНИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА. 3, p. 58-72

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

  14. Рост пленок SiC, AlN и GaN на кремниевых изделиях произвольной геометрии для микроэлектромеханических применений

    Кондратенко, Т. Т., Гращенко, А. С., Осипов, А. В., Редьков, А. В., Убыйвовк, Е. В., Шарофидинов, Ш. Ш. & Кукушкин, С. А., 2023, In: Письма в ЖурналТехнической Физики. 49, 11, p. 3-8

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

Previous 1 2 3 4 5 Next

ID: 70430167