1 - 10 out of 39Page size: 10
  1. 2025

  2. Магнетизм гибридных структур SiC/Si, синтезированных методом вакансионного согласованного замещения атомов

    Романов, В. В., Руль, Н. И., Веневцев, И. Д., Королев, А. В., Кукушкин, С. А. & Баграев, Н. Т., 2025, In: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА. 8, p. 1573-1578

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

  3. Механизм роста эпитаксиальных слоев Ga2O3 методом хлорид-гидридной эпитаксии на подложке SiC/Si (110)

    Кукушкин, С. А., Осипов, А. В., Убыйвовк, Е. В., Осипова, Е. В. & Шарофидинов, Ш. Ш., 2025, In: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА. 67, 1, p. 105-113

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

  4. Построение прогнозных моделей для роста тонких пленок SiC/Si с использованием методов машинного обучения

    Кукушкин, С. А., Редьков, А. В., Осипов, А. В., Гращенко, А. С. & Роженцев, Д. В., 2025, (Accepted/In press) In: ПИСЬМА В "ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ".

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

  5. 2024

  6. Влияние олова на свойства нитрида галлия, выращенного методом хлорид-гидридной газофазной эпитаксии

    Кукушкин, С. А. & Редьков, А. В., 2024, In: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА.

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

  7. Эффекты самоорганизации при выращивании нитевидных нанокристаллов InGaN методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота

    Резник, Р. Р., Гридчин, В. О., Котляр, К. П., Убыйвовк, Е. В., Кукушкин, С. А. & Цырлин, Г. Э., 2024, Труды XXVIII Международного симпозиума НАНОФИЗИКА И НАНОЭЛЕКТРОНИКА . Институт прикладной физики РАН, Vol. 2. p. 623-624 2 p.

    Research output: Chapter in Book/Report/Conference proceeding › Conference contribution › Research › peer-review

  8. 2023

  9. Изменение упругих деформаций в плёнках SiC в процессе роста методом согласованного замещения атомов на подложках Si

    Еремеев, Ю. А., Воробьев, А. С., Гращенко, А. С., Семенча, А. В., Осипов, А. В. & Кукушкин, С. А., 2023, In: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА. 65, 1, p. 71

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

  10. Новый метод релаксации упругих напряжений при росте гетероэпитаксиальных пленок

    Корякин, А. А., Кукушкин, С. А., Осипов, А. В., Шарофидинов, Ш. Ш. & Щеглов, М. П., 2023, In: ИЗВЕСТИЯ РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК. МЕХАНИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА. 3, p. 58-72

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

  11. Рост пленок SiC, AlN и GaN на кремниевых изделиях произвольной геометрии для микроэлектромеханических применений

    Кондратенко, Т. Т., Гращенко, А. С., Осипов, А. В., Редьков, А. В., Убыйвовк, Е. В., Шарофидинов, Ш. Ш. & Кукушкин, С. А., 2023, In: Письма в ЖурналТехнической Физики. 49, 11, p. 3-8

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

  12. 2022

  13. On the Growth of Thin-Film AlGaN/GaN Epitaxial Heterostructures on Hybrid Substrates Containing Layers of Silicon Carbide and Porous Silicon

    Seredin, P. V., Radam, A. O., Goloshchapov, D. L., Len’shin, A. S., Buylov, N. S., Barkov, K. A., Nesterov, D. N., Mizerov, A. M., Timoshnev, S. N., Nikitina, E. V., Arsentyev, I. N., Sharafidinov, S., Kukushkin, S. A. & Kasatkin, I. A., 29 Jun 2022, In: Semiconductors. 56, 4, p. 253-258 6 p.

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

  14. Особенности зарождения и роста нитевидных нанокристаллов InGaN на подложках SiC/Si методом хлорид-гидридной эпитаксии

    Кукушкин, С. А., Осипов, А. В., Редьков, А. В., Стожаров, В. М., Убыйвовк, Е. В. & Шарофидинов, Ш. Ш., 2022, In: ПИСЬМА В "ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ". 48, 4, p. 24-28

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

Previous 1 2 3 4 Next

ID: 70430167