Результаты

  1. Селективный рост колончатых микрокристаллов GaN методом HVPE на темплейтах SiOx/AlN(PA-MBE)/Si(111), полученных с использованием микросферной фотолитографии

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  2. Modeling the crystal phase switching in self-catalyzed GaAs nanowires

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › статья в сборнике материалов конференции › Рецензирование

  3. Низкотемпературный рост нитевидных и пластинчатых нанокристаллов InAs на подложках Si(100)

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Просмотреть все (12) »

Проекты

  1. Наноструктуры полупроводниковых соединений III-V с управляемой морфологией и расширенной областью состава для оптоэлектроники: 2026 г., этап 2

    Проект: исполнение гранта/договора › исполнение этапа гранта/договора

  2. Новые наноструктурированные InGaN материалы: синтез, свойства и оптоэлектронные приложения: 2023 г. этап 1

    Проект: исполнение гранта/договора › исполнение этапа гранта/договора

  3. Управление кристаллической фазой нитевидных нанокристаллов полупроводниковых соединений III-V путем за счет изменения морфологии ростового интерфейса: 2022 г. этап 3

    Проект: исполнение гранта/договора › исполнение этапа гранта/договора

Просмотреть все () »

Деятельность

  1. Моделирование переключения кристаллической фазы в самокаталитических нитевидных нанокристаллах GaAs (Modeling the crystal phase switching in self-catalyzed GaAs nanowires)

    Деятельность: Выступление на научной конференции › выступление с устным докладом

Просмотреть все (1) »

ID: 145856