Результаты

  1. Низкотемпературный рост нитевидных и пластинчатых нанокристаллов InAs на подложках Si(100)

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  2. Новый метод релаксации упругих напряжений при росте гетероэпитаксиальных пленок

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. Modeling the formation of self-catalyzed GaAs and GaP nanowires

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › статья в сборнике материалов конференции › научная › Рецензирование

Просмотреть все (9) »

Проекты

  1. Новые наноструктурированные InGaN материалы: синтез, свойства и оптоэлектронные приложения: 2023 г. этап 1

    Проект: исполнение гранта/договора › исполнение этапа гранта/договора

  2. Гетероструктуры на основе нитевидных нанокристаллов полупроводниковых соединений III-V и широкозонных полупроводников: фундаментальные исследования и инновационный дизайн функциональных наноматериалов для оптоэлектроники: 2024 г. этап 4

    Проект: исполнение гранта/договора › исполнение этапа гранта/договора

  3. Управление кристаллической фазой нитевидных нанокристаллов полупроводниковых соединений III-V путем за счет изменения морфологии ростового интерфейса: 2022 г. этап 3

    Проект: исполнение гранта/договора › исполнение этапа гранта/договора

Просмотреть все () »

ID: 145856