1 - 10 из 78Размер страницы: 10
Сортировать по:: Год публикации
  1. 2025

  2. GaAs Nanowire Growth by MBE with Catalyst Forming Eutectic Points with Both Elements

    Сибирёв, Н. В., Сошников, И. П., Илькив, И. В., Убыйвовк, Е. В., Цырлин, Г. Э. & Штром, И. В., 1 ноя 2025, в: Nanomaterials. 15, 21, 1664.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. Tunable photoresponse in GaN-based UV photodetectors via synergetic use of colloidal plasmonic nanowires and nanoparticles

    Синицкая, О., Шугабаев, Т., Кузнецов, А., Шубина, К. Ю., Гридчин, В. О., Мизеров, А., Уваров, А. В., Поздеев, В., Котляр, К. П., Резник, Р. Р., Большаков, А. Д., Цырлин, Г. Э. & Никитина, Е., 1 ноя 2025, в: Materials Science in Semiconductor Processing. 198, 109737.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  4. Growth of GaN Nanowires with InN Inserts by PA-MBE

    Лендяшова, В. В., Гридчин, В. О., Котляр, К. П., Резник, Р. Р., Цырлин, Г. Э., Шугабаев, Т. & Хребтов, А. И., 18 авг 2025, (Принято в печать) в: St. Petersburg State Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  5. MBE growth and properties of branched AlGaAs nanowires on silicon

    Резник, Р. Р., Андреева, А. С., Котляр, К. П., Хребтов, А. И., Илькив, И. В., Гридчин, В. О., Сошников, И. П., Syuy, A. V., Кузнецов, А., Большаков, А. Д., Цырлин, Г. Э. & Дубровский, В. Г., 16 мая 2025, в: Nanotechnology. 36, 23, 235601.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  6. Influence of capping layer growth mode on the photoluminescence of InAs quantum dots in silicon

    Лендяшова, В. В., Илькив, И. В., Талалаев, В. Г., Шугабаев, Т., Резник, Р. Р. & Цырлин, Г. Э., 1 апр 2025, в: Journal of Optical Technology (A Translation of Opticheskii Zhurnal). 92, 4, стр. 14-21

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  7. Effect of GaAs buffer layer on the characteristics of GaAs NWs grown by molecular beam epitaxy on Si(111) substrates

    Лендяшова, В. В., Котляр, К. П., Цырлин, Г. Э., Илькив, И. В. & Хребтов, А. И., 2025, (Принято в печать) в: НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКИЕ ВЕДОМОСТИ САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКОГО ГОСУДАРСТВЕННОГО ПОЛИТЕХНИЧЕСКОГО УНИВЕРСИТЕТА. ФИЗИКО-МАТЕМАТИЧЕСКИЕ НАУКИ.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья в журнале по материалам конференции › Рецензирование

  8. Energy transfer in heterostructure GaAs/AlGaAs with quantum wells of different thicknesses separated by thick barriers

    Философов, Н. Г., Агекян, В. Ф., Вербин, С. Ю., Резницкий, А., Серов, А. Ю., Штром, И. В., Илькив, И. В., Резник, Р. Р. & Цырлин, Г. Э., 2025, в: Physics of the Solid State. 67, 1, стр. 28-30 3 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  9. Topographically-Guided van der Waals Epitaxy: Selective Growth of AlN Nanowalls on h-BN Step Edges

    Даутов, А. М., Дубровский, В. Г., Шугабаев, Т., Лендяшова, В. В., Котляр, К. П., Кузнецов, А., Алексеев, П., Попов, М., Штром, И. В., Toksumakov, A., Ghazaryan, D., Парфёнова, А., Арсенин, А., Большаков, А. Д., Цырлин, Г. Э. & Гридчин, В. О., 15 мар 2026, в: Materials Science in Semiconductor Processing. 204, 110293.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  10. Two bands in PL spectra of InGaN/GaN superlattice embedded in GaN nanowire

    Сибирёв, Н. В., Штром, И. В., Субботина, А. С., Субботина, Е. А., Серов, А. Ю., Философов, Н. Г., Гридчин, В. О. & Цырлин, Г. Э., 2025, (Принято в печать) в: НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКИЕ ВЕДОМОСТИ САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКОГО ГОСУДАРСТВЕННОГО ПОЛИТЕХНИЧЕСКОГО УНИВЕРСИТЕТА. ФИЗИКО-МАТЕМАТИЧЕСКИЕ НАУКИ. 18, 4.1

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья в журнале по материалам конференции › Рецензирование

  11. Перенос возбуждения через широкий барьер в системе квантовых ям GaAs/AlGaAs раз-личной ширины

    Философов, Н. Г., Агекян, В. Ф., Вербин, С. Ю., Резницкий, А., Серов, А. Ю., Штром, И. В., Илькив, И. В., Резник, Р. Р. & Цырлин, Г. Э., 2025, в: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА. 67, 1, стр. 28-30 3 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Назад 1 2 3 4 5 6 7 8 Далее

ID: 70430060