61 - 68 из 68Размер страницы: 10
Сортировать по:: Год публикации
  1. 2021

  2. Формирование гексагональной фазы германия на поверхности нитевидных нанокристаллов AlGaAs методом молекулярно-пучковой эпитакси

    Илькив, И. В., Котляр, К. П., Кириленко, Д. А., Осипов, А. В., Сошников, И. П., Теплицкий, А. Н. & Цырлин, Г. Э., 2021, в: ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ. 8, стр. 621-624

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. 2018

  4. Фоточувствительное устройство и способ его изготовления.

    Котляр, К. П., Кукушкин, С. А., Осипов, А. В., Резник, Р. Р., Сошников, И. П. & Цырлин, Г. Э., 26 июл 2018, Патент № RU 2685032

    Результаты исследований: Патентование и регистрация прав на ИС › патент

  5. Dopant-stimulated growth of GaN nanotube-like nanostructures on Si(111) by molecular beam epitaxy

    Bolshakov, A. D., Mozharov, A. M., Sapunov, G. A., Shtrom, I. V., Sibirev, N. V., Fedorov, V. V., Ubyivovk, E. V., Tchernycheva, M., Cirlin, G. E. & Mukhin, I. S., 15 янв 2018, в: Beilstein Journal of Nanotechnology. 9, 1, стр. 146-154 9 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  6. 2016

  7. Способ осаждения коллоидных наночастиц золота на поверхность кремниевых полупроводниковых пластин.

    Буравлев, А. Д., Сошников, И. П., Цырлин, Г. Э. & Илькив, И. В., 14 дек 2016, Патент № RU 2693546

    Результаты исследований: Патентование и регистрация прав на ИС › патент

  8. Способ формирования тонких упорядоченных полупроводниковых нитевидных нанокристаллов без участия стороннего катализатора на подложках кремния.

    Резник, Р. Р. & Цырлин, Г. Э., 14 дек 2016, Патент № RU 2712534

    Результаты исследований: Патентование и регистрация прав на ИС › патент

  9. Spectral shift of the transparency line of a semiconductor multilayer resonator under pulsed laser radiation

    Ryzhov, A. A., Belousova, I. M., Tsyrlin, G. E., Khrebtov, A. I. & Reznik, R. R., 23 авг 2016, Proceedings - 2016 International Conference Laser Optics, LO 2016. Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., стр. R41 7549756. (Proceedings - 2016 International Conference Laser Optics, LO 2016).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › статья в сборнике материалов конференции › научная › Рецензирование

  10. 2007

  11. Numerical simulation of the temperature dependence of the photoluminescence spectra of InAs/GaAs quantum dots

    Smirnov, M. B., Talalaev, V. G., Novikov, B. V., Sarangov, S. V., Tsyrlin, G. É. & Zakharov, N. D., июн 2007, в: Physics of the Solid State. 49, 6, стр. 1184-1190 7 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  12. 2000

  13. Recombination emission from InAs quantum dots grown on vicinal GaAs surfaces

    Talalaev, V. G., Novikov, B. V., Verbin, S. Y., Novikov, A. B., Thath, D. S., Shchur, I. V., Gobsch, G., Goldhahn, R., Stein, N., Golombek, A., Tsyrlin, G. É., Petrov, V. N., Ustinov, V. M., Zhukov, A. E. & Egorov, A. Y., янв 2000, в: Semiconductors. 34, 4, стр. 453-461 9 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Назад 1...3 4 5 6 7 Далее

ID: 70430060