1. 2026
  2. Designing the orientation of GaN nanowires on Si(100) through pore geometry engineering

    Dautov, A. M., Sibirev, N. V., Fedorov, V. V., Kharchenko, A. A., Terpitskiy, A. N., Sattorov, M. S., Spivak, Y. M., Vasilkova, E. I., Miniv, D. V., Shugabaev, T., Andreeva, A. S., Lendyashova, V. V., Timur, K. D., Kuznetsov, A., Shtrom, I. V., Reznik, R. R., Cirlin, G. E. & Gridchin, V. O., 1 ноя 2026, в: Materials Science in Semiconductor Processing. 214, 110925.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. Formation of Hexagonal Pedestals in Si-doped GaN Layers Grown on AlN/Si(111) Templates

    Даутов, А. М., Шугабаев, Т., Левичев, М., Лендяшова, В. В., Харченко, А., Василькова, Е. И., Кузнецов, А., Котляр, К. П., Цырлин, Г. Э. & Гридчин, В. О., 1 июн 2026, 2026 IEEE 27th International Conference of Young Professionals in Electron Devices and Materials (EDM). Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., стр. 1-5 5 стр. (International Siberian workshops and tutorials on electron devices and materials).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › статья в сборнике материалов конференции › Рецензирование

  4. Topographically-Guided van der Waals Epitaxy: Selective Growth of AlN Nanowalls on h-BN Step Edges

    Даутов, А. М., Дубровский, В. Г., Шугабаев, Т., Лендяшова, В. В., Котляр, К. П., Кузнецов, А., Алексеев, П., Попов, М., Штром, И. В., Toksumakov, A., Ghazaryan, D., Парфёнова, А., Арсенин, А., Большаков, А. Д., Цырлин, Г. Э. & Гридчин, В. О., 15 мар 2026, в: Materials Science in Semiconductor Processing. 204, 110293.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  5. 2025
  6. Effect of GaAs buffer layer on the characteristics of GaAs NWs grown by molecular beam epitaxy on Si(111) substrates

    Лендяшова, В. В., Котляр, К. П., Цырлин, Г. Э., Илькив, И. В. & Хребтов, А. И., 10 дек 2025, в: НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКИЕ ВЕДОМОСТИ САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКОГО ГОСУДАРСТВЕННОГО ПОЛИТЕХНИЧЕСКОГО УНИВЕРСИТЕТА. ФИЗИКО-МАТЕМАТИЧЕСКИЕ НАУКИ. 18, 3.1, стр. 152-155

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья в журнале по материалам конференции › Рецензирование

  7. Optical Characterization and Surface Plasmon Polariton Mode Simulation of GaN/InGaN Nanowires on Ag/AlOx Film for Plasmonic Nanolasers

    Шугабаев, Т., Харченко, А., Даутов, А. М., Кузнецов, А., Лендяшова, В. В., Крыжановская, Н., Резник, Р. Р., Гридчин, В. О. & Цырлин, Г. Э., дек 2025, в: St. Petersburg State Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics. 18, 3.1, стр. 278-282

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья в журнале по материалам конференции › Рецензирование

  8. Growth of GaN Nanowires with InN Inserts by PA-MBE

    Лендяшова, В. В., Гридчин, В. О., Котляр, К. П., Резник, Р. Р., Цырлин, Г. Э., Шугабаев, Т. & Хребтов, А. И., 18 авг 2025, (Принято в печать) в: St. Petersburg State Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics. 18, 3.1

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья в журнале по материалам конференции › Рецензирование

  9. Influence of capping layer growth mode on the photoluminescence of InAs quantum dots in silicon

    Лендяшова, В. В., Илькив, И. В., Талалаев, В. Г., Шугабаев, Т., Резник, Р. Р. & Цырлин, Г. Э., 1 апр 2025, в: Journal of Optical Technology (A Translation of Opticheskii Zhurnal). 92, 4, стр. 14-21

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  10. ZnO nanowire-based flexible sensors for pressure and temperature monitoring

    Николаева, А., Кондратьев, В. М., Кадинская, С. А., Колесина, Д., Зубов, Ф. И., Аникина, М., Дворецкая, Л., Лендяшова, В. В., Гридчин, В. О., Монастыренко, А., Красников, Д., Насибулин, А., Кочетков, Ф. М. & Большаков, А. Д., 1 апр 2025, в: Materials Science in Semiconductor Processing. 189

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  11. EFFECT OF SHORT-TERM HEATING ON THE MORPHOLOGY OF ALF₃ MICROSTRUCTURES

    Штром, И. В., Даутов, А. М., Котляр, К. П., Лендяшова, В. В., Шугабаев, Т., Гридчин, В. О. & Сибирёв, Н. В., 2025, в: St. Petersburg State Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics. 18, 3.1, стр. 283–286

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья в журнале по материалам конференции › Рецензирование

  12. Рост атомарно-гладких слоев AlN на подложках Si(111) с предварительным формированием аморфного слоя SixNy методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота

    Гридчин, В. О., Даутов, А. М., Шугабаев, Т., Лендяшова, В. В., Котляр, К. П., Сотник, Г., Козадоев, Д., Пирогов, Е. В., Резник, Р. Р., Лобанов, Д., Кузнецов, А., Большаков, А. Д. & Цырлин, Г. Э., 2025, в: ПИСЬМА В "ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ". 51, 14, стр. 39-43

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Назад 1 2 3 Далее

ID: 93711369