1 - 10 out of 21Page size: 10
  1. 2026

  2. Designing the orientation of GaN nanowires on Si(100) through pore geometry engineering

    Dautov, A. M., Sibirev, N. V., Fedorov, V. V., Kharchenko, A. A., Terpitskiy, A. N., Sattorov, M. S., Spivak, Y. M., Vasilkova, E. I., Miniv, D. V., Shugabaev, T., Andreeva, A. S., Lendyashova, V. V., Timur, K. D., Kuznetsov, A., Shtrom, I. V., Reznik, R. R., Cirlin, G. E. & Gridchin, V. O., 1 Nov 2026, In: Materials Science in Semiconductor Processing. 214, 110925.

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

  3. Formation of Hexagonal Pedestals in Si-doped GaN Layers Grown on AlN/Si(111) Templates

    Даутов, А. М., Шугабаев, Т., Левичев, М., Лендяшова, В. В., Харченко, А., Василькова, Е. И., Кузнецов, А., Котляр, К. П., Цырлин, Г. Э. & Гридчин, В. О., 1 Jun 2026, 2026 IEEE 27th International Conference of Young Professionals in Electron Devices and Materials (EDM). Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., p. 1-5 5 p. (International Siberian workshops and tutorials on electron devices and materials).

    Research output: Chapter in Book/Report/Conference proceeding › Conference contribution › peer-review

  4. Topographically-Guided van der Waals Epitaxy: Selective Growth of AlN Nanowalls on h-BN Step Edges

    Даутов, А. М., Дубровский, В. Г., Шугабаев, Т., Лендяшова, В. В., Котляр, К. П., Кузнецов, А., Алексеев, П., Попов, М., Штром, И. В., Toksumakov, A., Ghazaryan, D., Парфёнова, А., Арсенин, А., Большаков, А. Д., Цырлин, Г. Э. & Гридчин, В. О., 15 Mar 2026, In: Materials Science in Semiconductor Processing. 204, 110293.

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

  5. 2025

  6. Effect of GaAs buffer layer on the characteristics of GaAs NWs grown by molecular beam epitaxy on Si(111) substrates

    Лендяшова, В. В., Котляр, К. П., Цырлин, Г. Э., Илькив, И. В. & Хребтов, А. И., 10 Dec 2025, In: НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКИЕ ВЕДОМОСТИ САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКОГО ГОСУДАРСТВЕННОГО ПОЛИТЕХНИЧЕСКОГО УНИВЕРСИТЕТА. ФИЗИКО-МАТЕМАТИЧЕСКИЕ НАУКИ. 18, 3.1, p. 152-155

    Research output: Contribution to journal › Conference article › peer-review

  7. Optical Characterization and Surface Plasmon Polariton Mode Simulation of GaN/InGaN Nanowires on Ag/AlOx Film for Plasmonic Nanolasers

    Шугабаев, Т., Харченко, А., Даутов, А. М., Кузнецов, А., Лендяшова, В. В., Крыжановская, Н., Резник, Р. Р., Гридчин, В. О. & Цырлин, Г. Э., Dec 2025, In: St. Petersburg State Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics. 18, 3.1, p. 278-282

    Research output: Contribution to journal › Conference article › peer-review

  8. Growth of GaN Nanowires with InN Inserts by PA-MBE

    Лендяшова, В. В., Гридчин, В. О., Котляр, К. П., Резник, Р. Р., Цырлин, Г. Э., Шугабаев, Т. & Хребтов, А. И., 18 Aug 2025, (Accepted/In press) In: St. Petersburg State Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics. 18, 3.1

    Research output: Contribution to journal › Conference article › peer-review

  9. Influence of capping layer growth mode on the photoluminescence of InAs quantum dots in silicon

    Лендяшова, В. В., Илькив, И. В., Талалаев, В. Г., Шугабаев, Т., Резник, Р. Р. & Цырлин, Г. Э., 1 Apr 2025, In: Journal of Optical Technology (A Translation of Opticheskii Zhurnal). 92, 4, p. 14-21

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

  10. ZnO nanowire-based flexible sensors for pressure and temperature monitoring

    Николаева, А., Кондратьев, В. М., Кадинская, С. А., Колесина, Д., Зубов, Ф. И., Аникина, М., Дворецкая, Л., Лендяшова, В. В., Гридчин, В. О., Монастыренко, А., Красников, Д., Насибулин, А., Кочетков, Ф. М. & Большаков, А. Д., 1 Apr 2025, In: Materials Science in Semiconductor Processing. 189

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

  11. EFFECT OF SHORT-TERM HEATING ON THE MORPHOLOGY OF ALF₃ MICROSTRUCTURES

    Штром, И. В., Даутов, А. М., Котляр, К. П., Лендяшова, В. В., Шугабаев, Т., Гридчин, В. О. & Сибирёв, Н. В., 2025, In: St. Petersburg State Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics. 18, 3.1, p. 283–286

    Research output: Contribution to journal › Conference article › peer-review

  12. Рост атомарно-гладких слоев AlN на подложках Si(111) с предварительным формированием аморфного слоя SixNy методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота

    Гридчин, В. О., Даутов, А. М., Шугабаев, Т., Лендяшова, В. В., Котляр, К. П., Сотник, Г., Козадоев, Д., Пирогов, Е. В., Резник, Р. Р., Лобанов, Д., Кузнецов, А., Большаков, А. Д. & Цырлин, Г. Э., 2025, In: ПИСЬМА В "ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ". 51, 14, p. 39-43

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

Previous 1 2 3 Next

ID: 93711369