1 - 10 из 46Размер страницы: 10
Сортировать по:: Год публикации
  1. 2026

  2. Vapor-Liquid-Solid growth of metal arsenides nanowires with arsenic-rich catalysts

    Штром, И. В., Сибирев, Н. В., Илькив, И. В., Сошников, И. П. & Убыйвовк, Е. В., 1 июн 2026, стр. 283.

    Результаты исследований: Материалы конференций › материалы › Рецензирование

  3. 2025

  4. Effect of GaAs buffer layer on the characteristics of GaAs NWs grown by molecular beam epitaxy on Si(111) substrates

    Лендяшова, В. В., Котляр, К. П., Цырлин, Г. Э., Илькив, И. В. & Хребтов, А. И., 10 дек 2025, в: НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКИЕ ВЕДОМОСТИ САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКОГО ГОСУДАРСТВЕННОГО ПОЛИТЕХНИЧЕСКОГО УНИВЕРСИТЕТА. ФИЗИКО-МАТЕМАТИЧЕСКИЕ НАУКИ. 18, 3.1, стр. 152-155

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья в журнале по материалам конференции › Рецензирование

  5. MBE growth of wurtzite AlGaAs nanowires with zinc-blende insertions

    Андреева, А. С., Илькив, И. В., Котляр, К. П., Хребтов, А. И., Гридчин, В. О., Цырлин, Г. Э. & Резник, Р. Р., дек 2025, в: St. Petersburg State Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics. 18, 3.1, стр. 148–151

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья в журнале по материалам конференции › Рецензирование

  6. GaAs Nanowire Growth by MBE with Catalyst Forming Eutectic Points with Both Elements

    Сибирёв, Н. В., Сошников, И. П., Илькив, И. В., Убыйвовк, Е. В., Цырлин, Г. Э. & Штром, И. В., 1 ноя 2025, в: Nanomaterials. 15, 21, 1664.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  7. MBE growth and properties of branched AlGaAs nanowires on silicon

    Резник, Р. Р., Андреева, А. С., Котляр, К. П., Хребтов, А. И., Илькив, И. В., Гридчин, В. О., Сошников, И. П., Syuy, A. V., Кузнецов, А., Большаков, А. Д., Цырлин, Г. Э. & Дубровский, В. Г., 16 мая 2025, в: Nanotechnology. 36, 23, 235601.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  8. Influence of capping layer growth mode on the photoluminescence of InAs quantum dots in silicon

    Лендяшова, В. В., Илькив, И. В., Талалаев, В. Г., Шугабаев, Т., Резник, Р. Р. & Цырлин, Г. Э., 1 апр 2025, в: Journal of Optical Technology (A Translation of Opticheskii Zhurnal). 92, 4, стр. 14-21

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  9. Energy transfer in heterostructure GaAs/AlGaAs with quantum wells of different thicknesses separated by thick barriers

    Философов, Н. Г., Агекян, В. Ф., Вербин, С. Ю., Резницкий, А., Серов, А. Ю., Штром, И. В., Илькив, И. В., Резник, Р. Р. & Цырлин, Г. Э., 2025, в: Physics of the Solid State. 67, 1, стр. 28-30 3 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  10. Перенос возбуждения через широкий барьер в системе квантовых ям GaAs/AlGaAs раз-личной ширины

    Философов, Н. Г., Агекян, В. Ф., Вербин, С. Ю., Резницкий, А., Серов, А. Ю., Штром, И. В., Илькив, И. В., Резник, Р. Р. & Цырлин, Г. Э., 2025, в: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА. 67, 1, стр. 28-30 3 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  11. Тестирование диэлектрических покрытий для исследований элементарных флуктуаций заряда методами сканирующей кельвин-зонд микроскопии

    Родин, В. Д., Аксенов, В. Ю., Анкудинов, А. В., Большаков, В. О., Власов, А. С., Жарова, Ю., Илькив, И. В., Левин, Р. В., Малевская, А. В. & Минтаиров, А. М., 2025, в: ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ. 59, 6, стр. 328-332

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  12. 2024

  13. Lead Catalyzed GaAs Nanowires Grown by Molecular Beam Epitaxy

    Штром, И. В., Сибирёв, Н. В., Сошников, И. П., Илькив, И. В., Убыйвовк, Е. В., Резник, Р. Р. & Цырлин, Г. Э., 21 ноя 2024, в: Nanomaterials. 14, 23, 1860.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Назад 1 2 3 4 5 Далее

ID: 3635561