1 - 10 out of 44Page size: 10
  1. 2025

  2. GaAs Nanowire Growth by MBE with Catalyst Forming Eutectic Points with Both Elements

    Сибирёв, Н. В., Сошников, И. П., Илькив, И. В., Убыйвовк, Е. В., Цырлин, Г. Э. & Штром, И. В., 1 Nov 2025, In: Nanomaterials. 15, 21, 1664.

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

  3. MBE growth and properties of branched AlGaAs nanowires on silicon

    Резник, Р. Р., Андреева, А. С., Котляр, К. П., Хребтов, А. И., Илькив, И. В., Гридчин, В. О., Сошников, И. П., Syuy, A. V., Кузнецов, А., Большаков, А. Д., Цырлин, Г. Э. & Дубровский, В. Г., 16 May 2025, In: Nanotechnology. 36, 23, 235601.

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

  4. Influence of capping layer growth mode on the photoluminescence of InAs quantum dots in silicon

    Лендяшова, В. В., Илькив, И. В., Талалаев, В. Г., Шугабаев, Т., Резник, Р. Р. & Цырлин, Г. Э., 1 Apr 2025, In: Journal of Optical Technology (A Translation of Opticheskii Zhurnal). 92, 4, p. 14-21

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

  5. Effect of GaAs buffer layer on the characteristics of GaAs NWs grown by molecular beam epitaxy on Si(111) substrates

    Лендяшова, В. В., Котляр, К. П., Цырлин, Г. Э., Илькив, И. В. & Хребтов, А. И., 2025, (Accepted/In press) In: НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКИЕ ВЕДОМОСТИ САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКОГО ГОСУДАРСТВЕННОГО ПОЛИТЕХНИЧЕСКОГО УНИВЕРСИТЕТА. ФИЗИКО-МАТЕМАТИЧЕСКИЕ НАУКИ.

    Research output: Contribution to journal › Conference article › peer-review

  6. Energy transfer in heterostructure GaAs/AlGaAs with quantum wells of different thicknesses separated by thick barriers

    Философов, Н. Г., Агекян, В. Ф., Вербин, С. Ю., Резницкий, А., Серов, А. Ю., Штром, И. В., Илькив, И. В., Резник, Р. Р. & Цырлин, Г. Э., 2025, In: Physics of the Solid State. 67, 1, p. 28-30 3 p.

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

  7. Перенос возбуждения через широкий барьер в системе квантовых ям GaAs/AlGaAs раз-личной ширины

    Философов, Н. Г., Агекян, В. Ф., Вербин, С. Ю., Резницкий, А., Серов, А. Ю., Штром, И. В., Илькив, И. В., Резник, Р. Р. & Цырлин, Г. Э., 2025, In: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА. 67, 1, p. 28-30 3 p.

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

  8. Тестирование диэлектрических покрытий для исследований элементарных флуктуаций заряда методами сканирующей кельвин-зонд микроскопии

    Родин, В. Д., Аксенов, В. Ю., Анкудинов, А. В., Большаков, В. О., Власов, А. С., Жарова, Ю., Илькив, И. В., Левин, Р. В., Малевская, А. В. & Минтаиров, А. М., 2025, In: ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ. 59, 6, p. 328-332

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

  9. 2024

  10. Lead Catalyzed GaAs Nanowires Grown by Molecular Beam Epitaxy

    Штром, И. В., Сибирёв, Н. В., Сошников, И. П., Илькив, И. В., Убыйвовк, Е. В., Резник, Р. Р. & Цырлин, Г. Э., 21 Nov 2024, In: Nanomaterials. 14, 23, 1860.

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

  11. Перенос возбуждения через широкий барьер в системе квантовых ям GaAs/AlGaAs различной ширины

    Философов, Н. Г., Агекян, В. Ф., Вербин, С. Ю., Резницкий, А., Серов, А. Ю., Штром, И. В., Илькив, И. В., Резник, Р. Р. & Цырлин, Г. Э., 2 Oct 2024.

    Research output: Contribution to conference › Abstract › peer-review

  12. Annealing of lead thin films on silicon

    Сибирёв, Н. В., Штром, И. В., Илькив, И. В. & Сошников, И. П., 1 Jul 2024, 2024 International Conference Laser Optics, ICLO 2024 - Proceedings. Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., p. 402 (IEEE Xplore Digital Library).

    Research output: Chapter in Book/Report/Conference proceeding › Conference contribution › Research › peer-review

Previous 1 2 3 4 5 Next

ID: 3635561