1 - 10 из 24Размер страницы: 10
Сортировать по:: Год публикации
  1. 2026

  2. Designing the orientation of GaN nanowires on Si(100) through pore geometry engineering

    Dautov, A. M., Sibirev, N. V., Fedorov, V. V., Kharchenko, A. A., Terpitskiy, A. N., Sattorov, M. S., Spivak, Y. M., Vasilkova, E. I., Miniv, D. V., Shugabaev, T., Andreeva, A. S., Lendyashova, V. V., Timur, K. D., Kuznetsov, A., Shtrom, I. V., Reznik, R. R., Cirlin, G. E. & Gridchin, V. O., 1 ноя 2026, в: Materials Science in Semiconductor Processing. 214, 110925.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. Formation of Hexagonal Pedestals in Si-doped GaN Layers Grown on AlN/Si(111) Templates

    Даутов, А. М., Шугабаев, Т., Левичев, М., Лендяшова, В. В., Харченко, А., Василькова, Е. И., Кузнецов, А., Котляр, К. П., Цырлин, Г. Э. & Гридчин, В. О., 1 июн 2026, 2026 IEEE 27th International Conference of Young Professionals in Electron Devices and Materials (EDM). Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., стр. 1-5 5 стр. (International Siberian workshops and tutorials on electron devices and materials).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › статья в сборнике материалов конференции › Рецензирование

  4. Ultra-narrow linewidth blue plasmonic single mode nanolasing from MBE-grown GaN nanowires with embedded InGaN quantum wells

    Shugabaev, T., Melnichenko, I. A., Kuznetsov, A., Lendyashova, V. V., Bulkin, P., Kirilenko, D. A., Gagarina, A. Y., Kharchenko, A. A., Shtrom, I. V., Kozodaev, D. A., Kryzhanovskaya, N. V., Reznik, R. R., Bolshakov, A. D., Cirlin, G. E. & Gridchin, V. O., 1 мая 2026, в: Nanoscale Horizons. 11, 5, стр. 1312-1319 8 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  5. Topographically-Guided van der Waals Epitaxy: Selective Growth of AlN Nanowalls on h-BN Step Edges

    Даутов, А. М., Дубровский, В. Г., Шугабаев, Т., Лендяшова, В. В., Котляр, К. П., Кузнецов, А., Алексеев, П., Попов, М., Штром, И. В., Toksumakov, A., Ghazaryan, D., Парфёнова, А., Арсенин, А., Большаков, А. Д., Цырлин, Г. Э. & Гридчин, В. О., 15 мар 2026, в: Materials Science in Semiconductor Processing. 204, 110293.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  6. Host-engineered carbon dot luminescence: integration with nanowires for photonics

    Резник, Р. Р., Kondratev, V. M., Ushkov, A. A., Anikina, M. A., Karaseva, E. P., Kozko, I. A., Vyacheslavova, E. A., Gudovskikh, A. S., Гридчин, В. О., Котляр, К. П., Кузнецов, А., Zakharov, V., Rider, M., Kovova, M. S., Шугабаев, Т., Bazhenov, S. V., Shmakov, S. V., Orlova, A. O., Fedorov, V. V., Цырлин, Г. Э. еще 5, Мухин, И. С., Leiman, V. G., Syuy, A. V., Arsenin, A. V. & Большаков, А. Д., 2026, в: Light: Advanced Manufacturing. 7, 13 стр., 75.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  7. 2025

  8. Optical Characterization and Surface Plasmon Polariton Mode Simulation of GaN/InGaN Nanowires on Ag/AlOx Film for Plasmonic Nanolasers

    Шугабаев, Т., Харченко, А., Даутов, А. М., Кузнецов, А., Лендяшова, В. В., Крыжановская, Н., Резник, Р. Р., Гридчин, В. О. & Цырлин, Г. Э., дек 2025, в: St. Petersburg State Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics. 18, 3.1, стр. 278-282

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья в журнале по материалам конференции › Рецензирование

  9. Tunable photoresponse in GaN-based UV photodetectors via synergetic use of colloidal plasmonic nanowires and nanoparticles

    Синицкая, О., Шугабаев, Т., Кузнецов, А., Шубина, К. Ю., Гридчин, В. О., Мизеров, А., Уваров, А. В., Поздеев, В., Котляр, К. П., Резник, Р. Р., Большаков, А. Д., Цырлин, Г. Э. & Никитина, Е., 1 ноя 2025, в: Materials Science in Semiconductor Processing. 198, 109737.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  10. Growth of GaN Nanowires with InN Inserts by PA-MBE

    Лендяшова, В. В., Гридчин, В. О., Котляр, К. П., Резник, Р. Р., Цырлин, Г. Э., Шугабаев, Т. & Хребтов, А. И., 18 авг 2025, (Принято в печать) в: St. Petersburg State Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics. 18, 3.1

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья в журнале по материалам конференции › Рецензирование

  11. Influence of capping layer growth mode on the photoluminescence of InAs quantum dots in silicon

    Лендяшова, В. В., Илькив, И. В., Талалаев, В. Г., Шугабаев, Т., Резник, Р. Р. & Цырлин, Г. Э., 1 апр 2025, в: Journal of Optical Technology (A Translation of Opticheskii Zhurnal). 92, 4, стр. 14-21

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  12. Surface Plasmon Polariton Photoluminescence Enhancement of Single InP Nanowires with InAsP Quantum Wells

    Шугабаев, Т., Гридчин, В. О., Мельниченко, И., Булкин, П., Абрамов, А., Kuznetsov, A., Максимова, А., Новиков, И., Хребтов, А. И., Убыйвовк, Е. В., Котляр, К. П., Крыжановская, Н., Резник, Р. Р. & Цырлин, Г. Э., апр 2025, в: Physica Status Solidi - Rapid Research Letetrs. 19, 4, 2400296.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Назад 1 2 3 Далее

ID: 105026140