1 - 10 out of 24Page size: 10
  1. 2026

  2. Designing the orientation of GaN nanowires on Si(100) through pore geometry engineering

    Dautov, A. M., Sibirev, N. V., Fedorov, V. V., Kharchenko, A. A., Terpitskiy, A. N., Sattorov, M. S., Spivak, Y. M., Vasilkova, E. I., Miniv, D. V., Shugabaev, T., Andreeva, A. S., Lendyashova, V. V., Timur, K. D., Kuznetsov, A., Shtrom, I. V., Reznik, R. R., Cirlin, G. E. & Gridchin, V. O., 1 Nov 2026, In: Materials Science in Semiconductor Processing. 214, 110925.

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

  3. Formation of Hexagonal Pedestals in Si-doped GaN Layers Grown on AlN/Si(111) Templates

    Даутов, А. М., Шугабаев, Т., Левичев, М., Лендяшова, В. В., Харченко, А., Василькова, Е. И., Кузнецов, А., Котляр, К. П., Цырлин, Г. Э. & Гридчин, В. О., 1 Jun 2026, 2026 IEEE 27th International Conference of Young Professionals in Electron Devices and Materials (EDM). Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., p. 1-5 5 p. (International Siberian workshops and tutorials on electron devices and materials).

    Research output: Chapter in Book/Report/Conference proceeding › Conference contribution › Research › peer-review

  4. Ultra-narrow linewidth blue plasmonic single mode nanolasing from MBE-grown GaN nanowires with embedded InGaN quantum wells

    Shugabaev, T., Melnichenko, I. A., Kuznetsov, A., Lendyashova, V. V., Bulkin, P., Kirilenko, D. A., Gagarina, A. Y., Kharchenko, A. A., Shtrom, I. V., Kozodaev, D. A., Kryzhanovskaya, N. V., Reznik, R. R., Bolshakov, A. D., Cirlin, G. E. & Gridchin, V. O., 1 May 2026, In: Nanoscale Horizons. 11, 5, p. 1312-1319 8 p.

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

  5. Topographically-Guided van der Waals Epitaxy: Selective Growth of AlN Nanowalls on h-BN Step Edges

    Даутов, А. М., Дубровский, В. Г., Шугабаев, Т., Лендяшова, В. В., Котляр, К. П., Кузнецов, А., Алексеев, П., Попов, М., Штром, И. В., Toksumakov, A., Ghazaryan, D., Парфёнова, А., Арсенин, А., Большаков, А. Д., Цырлин, Г. Э. & Гридчин, В. О., 15 Mar 2026, In: Materials Science in Semiconductor Processing. 204, 110293.

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

  6. Host-engineered carbon dot luminescence: integration with nanowires for photonics

    Резник, Р. Р., Kondratev, V. M., Ushkov, A. A., Anikina, M. A., Karaseva, E. P., Kozko, I. A., Vyacheslavova, E. A., Gudovskikh, A. S., Гридчин, В. О., Котляр, К. П., Кузнецов, А., Zakharov, V., Rider, M., Kovova, M. S., Шугабаев, Т., Bazhenov, S. V., Shmakov, S. V., Orlova, A. O., Fedorov, V. V., Цырлин, Г. Э. & 5 others, Мухин, И. С., Leiman, V. G., Syuy, A. V., Arsenin, A. V. & Большаков, А. Д., 2026, In: Light: Advanced Manufacturing. 7, 13 p., 75.

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

  7. 2025

  8. Optical Characterization and Surface Plasmon Polariton Mode Simulation of GaN/InGaN Nanowires on Ag/AlOx Film for Plasmonic Nanolasers

    Шугабаев, Т., Харченко, А., Даутов, А. М., Кузнецов, А., Лендяшова, В. В., Крыжановская, Н., Резник, Р. Р., Гридчин, В. О. & Цырлин, Г. Э., Dec 2025, In: St. Petersburg State Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics. 18, 3.1, p. 278-282

    Research output: Contribution to journal › Conference article › peer-review

  9. Tunable photoresponse in GaN-based UV photodetectors via synergetic use of colloidal plasmonic nanowires and nanoparticles

    Синицкая, О., Шугабаев, Т., Кузнецов, А., Шубина, К. Ю., Гридчин, В. О., Мизеров, А., Уваров, А. В., Поздеев, В., Котляр, К. П., Резник, Р. Р., Большаков, А. Д., Цырлин, Г. Э. & Никитина, Е., 1 Nov 2025, In: Materials Science in Semiconductor Processing. 198, 109737.

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

  10. Growth of GaN Nanowires with InN Inserts by PA-MBE

    Лендяшова, В. В., Гридчин, В. О., Котляр, К. П., Резник, Р. Р., Цырлин, Г. Э., Шугабаев, Т. & Хребтов, А. И., 18 Aug 2025, (Accepted/In press) In: St. Petersburg State Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics. 18, 3.1

    Research output: Contribution to journal › Conference article › peer-review

  11. Influence of capping layer growth mode on the photoluminescence of InAs quantum dots in silicon

    Лендяшова, В. В., Илькив, И. В., Талалаев, В. Г., Шугабаев, Т., Резник, Р. Р. & Цырлин, Г. Э., 1 Apr 2025, In: Journal of Optical Technology (A Translation of Opticheskii Zhurnal). 92, 4, p. 14-21

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

  12. Surface Plasmon Polariton Photoluminescence Enhancement of Single InP Nanowires with InAsP Quantum Wells

    Шугабаев, Т., Гридчин, В. О., Мельниченко, И., Булкин, П., Абрамов, А., Kuznetsov, A., Максимова, А., Новиков, И., Хребтов, А. И., Убыйвовк, Е. В., Котляр, К. П., Крыжановская, Н., Резник, Р. Р. & Цырлин, Г. Э., Apr 2025, In: Physica Status Solidi - Rapid Research Letetrs. 19, 4, 2400296.

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

Previous 1 2 3 Next

ID: 105026140