1. 2023
  2. Лимитирующие факторы скорости роста при эпитаксии полупроводниковых соединений III−V

    Дубровский, В. Г., 2023, в: Письма в Журнал технической физики. 49, 8, стр. 39-41

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  3. 2022
  4. Half-disk lasers with active region based on InGaAs/GaAs quantum well-dots

    Zubov, F. I., Moiseev, E. I., Maximov, M. V., Vorobyev, A. A., Mozharov, A. M., Shernyakov, Y. M., Kalyuzhnyy, N. A., Mintairov, S. A., Kulagina, M. M., Dubrovskii, V. G., Kryzhanovskaya, N. V. & Zhukov, A. E., 1 дек 2022, в: Laser Physics. 32, 12, 5 стр., 125802.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  5. Моделирование роста заостренных нитевидных нанокристаллов на маскированных подложках

    Лещенко, Е. Д. & Дубровский, В. Г., дек 2022, в: ПИСЬМА В "ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ". 48, 23, стр. 14-17

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  6. Selective area epitaxy of GaAs: the unintuitive role of feature size and pitch

    Dede, D., Glas, F., Piazza, V., Morgan, N., Friedl, M., Güniat, L., Nur Dayi, E., Balgarkashi, A., Dubrovskii, V. G. & Fontcuberta i Morral, A., 26 ноя 2022, в: Nanotechnology. 33, 48, 485604.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  7. Tapering-free monocrystalline Ge nanowires synthesized via plasma-assisted VLS using in and Sn catalysts

    Tang, J., Wang, J., Maurice, J. L., Chen, W., Foldyna, M., Yu, L., Leshchenko, E. D., Dubrovskii, V. G. & Cabarrocas, P. R. I., 1 окт 2022, в: Nanotechnology. 33, 40, 405602.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  8. Criterion for selective area growth of III-V nanowires

    Дубровский, В. Г., окт 2022, в: Nanomaterials. 12, 20, 3698.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  9. Selective Area Epitaxy of GaN Nanowires on Si Substrates Using Microsphere Lithography: Experiment and Theory

    Gridchin, V. O., Dvoretckaia, L. N., Kotlyar, K. P., Reznik, R. R., Parfeneva, A. V., Dragunova, A. S., Kryzhanovskaya, N. V., Dubrovskii, V. G. & Cirlin, G. E., 8 июл 2022, в: Nanomaterials. 12, 14, 2341.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  10. Hexagonal Ge on the side facets of GaAs and AlGaAs nanowires

    Ilkiv, I. V., Kotlyar, K. P., Kirilenko, D. A., Soshnikov, I. P., Mikushev, S. V., Dubrovskii, V. G. & Cirlin, G. E., июл 2022, 2022 International Conference Laser Optics, ICLO 2022 - Proceedingss. Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., стр. 1-1

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференцийстатья в сборнике материалов конференциинаучнаяРецензирование

  11. Droplet contact angle controlling the morphology and crystal phase of GaAs and GaP nanowires

    Dubrovskii, V. G., Sibirev, N. V., Fedorov, V. V., Dvoretckaia, L. N., Kirilenko, D. A., Mukhin, I. S., Ghukasyan, A., Goktas, N. I. & Lapierre, R. R., 20 июн 2022, 2022 International Conference Laser Optics, ICLO 2022 - Proceedingss. Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., (2022 International Conference Laser Optics, ICLO 2022 - Proceedingss).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференцийстатья в сборнике материалов конференциинаучнаяРецензирование

  12. Growth of III-V nanowires by molecular beam epitaxy: the role of material exchange with the substrate

    Sibirev, N. V. & Dubrovskii, V. G., 20 июн 2022, 2022 International Conference Laser Optics, ICLO 2022 - Proceedingss. Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., (2022 International Conference Laser Optics (ICLO)).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференцийстатья в сборнике материалов конференциинаучнаяРецензирование

ID: 148847