61 - 70 из 156Размер страницы: 10
Сортировать по:: Год публикации
  1. 2023

  2. From Layer-by-Layer Growth to Nanoridge Formation: Selective Area Epitaxy of GaAs by MOVPE

    Morgan, N., Dubrovskii, V. G., Stief, A-K., Dede, D., Sanglé-Ferrière, M., Rudra, A., Piazza, V. & Fontcuberta i Morral, A., 5 июл 2023, в: Crystal Growth and Design. 23, 7, стр. 5083–5092 10 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. Ultrathin Te-Doped GaP Nanoantenna with Crystal Phase Transitions

    Diak, E., Thomas, A., Dubrovskii, V. G. & LaPierre, R. R., 9 июн 2023, в: Crystal Growth and Design. 23, 7, стр. 5074–5082

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  4. Importance of As and Ga Balance in Achieving Long GaAs Nanowires by Selective Area Epitaxy

    Chereau, E., Dubrovskii, V. G., Gregoire, G., Avit, G., Staudinger, P., Shmid, H., Bougerol, C., Coulon, P-M., Shields, P., Trassoudaine, A., Gil, E., LaPierre, R. R. & Andre, Y., 22 мая 2023, в: Crystal Growth and Design. 23, 6, стр. 4401-4409 9 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  5. An Overview of Modeling Approaches for Compositional Control in III-V Ternary Nanowires

    Leshchenko, E. D. & Dubrovskii, V. G., 17 мая 2023, в: Nanomaterials. 13, 10, 1659.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › Обзорная статья › Рецензирование

  6. Modeling catalyst-free growth of III-V nanowires: empirical and rigorous approaches

    Dubrovskii, V. G., 1 апр 2023, в: Nanomaterials. 13, 7, 1253.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  7. Synthesis of Au/Si nanostructures by STM lithography

    Lebedev, D. V., Shkoldin, V. A., Mozharov, A. M., Petukhov, A. E., Golubok, A. O., Arkhipov, A. A. V., Mukhin, I. S. & Дубровский, В. Г., 17 мар 2023, в: Technical Physics Letters. 48, 6, стр. 47-50 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  8. Tuning the Liquid-Vapour Interface of VLS Epitaxy for Creating Novel Semiconductor Nanostructures

    Suwito, G. R., Dubrovskii, V. G., Zhang, Z., Haffouz, S., Dalacu, D., Poole, P. J., Grutter, P. & Quitoriano, N. J., 27 фев 2023, в: Nanomaterials. 13, 5, 894.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  9. Theory of diffusion-induced selective area growth of III-V nanostructures

    Dubrovskii, V. G., 14 фев 2023, в: Phys. Rev. Materials. 7, 2, 026001.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  10. Kinetic modeling of interfacial abruptness in axial nanowire heterostructures

    Дубровский, В. Г. & Лещенко, Е. Д., 5 фев 2023, в: Nanotechnology. 34, 6, 065602.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  11. From layer-by-layer to nanoridges: Selective area epitaxy of horizontal GaAs at the nanoscale by MOVPE

    Дубровский, В. Г., Morgan, N. P., Stief, A-K., Dede, D., Sanglé-Ferrière, M., Rudra, A., Piazza, V. & Fontcuberta I Morral, A., 2023.

    Результаты исследований: Материалы конференций › тезисы › Рецензирование

Назад 1...3 4 5 6 7 8 9 10 ...16 Далее

ID: 148847