41 - 50 из 120Размер страницы: 10
Сортировать по:: Год публикации
  1. 2023

  2. Ultrathin Te-doped GaP nanoantenna with crystal phase transitions

    Дубровский, В. Г., Diak, E., Rimer, T. & LaPierre, R. R., 2023.

    Результаты исследований: Материалы конференций › тезисы › Рецензирование

  3. Влияние поверхностной энергии на рост и состав InxGa1-xAs нитевидных нанокристаллов

    Дубровский, В. Г. & Лещенко, Е. Д., 2023, (Принято в печать) в: ПИСЬМА В "ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ".

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  4. Кинетика роста наномембран полупроводниковых соединений III-V с учетом потока ре-эмиссии

    Дубровский, В. Г., 2023, в: Письма в Журнал технической физики. 49, 13, стр. 25-27

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  5. Лимитирующие факторы скорости роста при эпитаксии полупроводниковых соединений III−V

    Дубровский, В. Г., 2023, в: Письма в Журнал технической физики. 49, 8, стр. 39-41

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  6. 2022

  7. Half-disk lasers with active region based on InGaAs/GaAs quantum well-dots

    Zubov, F. I., Moiseev, E. I., Maximov, M. V., Vorobyev, A. A., Mozharov, A. M., Shernyakov, Y. M., Kalyuzhnyy, N. A., Mintairov, S. A., Kulagina, M. M., Dubrovskii, V. G., Kryzhanovskaya, N. V. & Zhukov, A. E., 1 дек 2022, в: Laser Physics. 32, 12, 5 стр., 125802.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  8. Моделирование роста заостренных нитевидных нанокристаллов на маскированных подложках

    Лещенко, Е. Д. & Дубровский, В. Г., дек 2022, в: ПИСЬМА В "ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ". 48, 23, стр. 14-17

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  9. Selective area epitaxy of GaAs: the unintuitive role of feature size and pitch

    Dede, D., Glas, F., Piazza, V., Morgan, N., Friedl, M., Güniat, L., Nur Dayi, E., Balgarkashi, A., Dubrovskii, V. G. & Fontcuberta i Morral, A., 26 ноя 2022, в: Nanotechnology. 33, 48, 485604.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  10. Tapering-free monocrystalline Ge nanowires synthesized via plasma-assisted VLS using in and Sn catalysts

    Tang, J., Wang, J., Maurice, J. L., Chen, W., Foldyna, M., Yu, L., Leshchenko, E. D., Dubrovskii, V. G. & Cabarrocas, P. R. I., 1 окт 2022, в: Nanotechnology. 33, 40, 405602.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  11. Criterion for selective area growth of III-V nanowires

    Дубровский, В. Г., окт 2022, в: Nanomaterials. 12, 20, 3698.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  12. Selective Area Epitaxy of GaN Nanowires on Si Substrates Using Microsphere Lithography: Experiment and Theory

    Gridchin, V. O., Dvoretckaia, L. N., Kotlyar, K. P., Reznik, R. R., Parfeneva, A. V., Dragunova, A. S., Kryzhanovskaya, N. V., Dubrovskii, V. G. & Cirlin, G. E., 8 июл 2022, в: Nanomaterials. 12, 14, 2341.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Назад 1 2 3 4 5 6 7 8 ...12 Далее

ID: 148847