21 - 30 из 120Размер страницы: 10
Сортировать по:: Год публикации
  1. 2023

  2. Geometrical Selection of GaN Nanowires Grown by Plasma-Assisted MBE on Polycrystalline ZrN Layers

    Olszewski, K., Sobanska, M., Dubrovskii, V. G., Leshchenko, E. D., Wierzbicka, A. & Zytkiewicz, Z. R., 19 сен 2023, в: Nanomaterials. 13, 18, 2587.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. Composition of vapor-liquid-solid III-V ternary nanowires based on group III intermix

    Дубровский, В. Г., 11 сен 2023, в: Nanomaterials. 13, 18, 2532.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  4. Planar vs Non-Planar Orientation in AuAg-Catalyzed InP Nanowire Growth

    Zavarize, M., Sibirev, N. V., Berdnikov, Y., Moreira, M., Obata, H. T., Rodrigues, V., Dubrovskii, V. G. & Cotta, M. A., 22 авг 2023, в: Crystal Growth and Design. 23, 9, стр. 6623–6630 8 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  5. Composition of III-V ternary materials under arbitrary material fluxes: the general approach unifying kinetics and thermodynamics

    Дубровский, В. Г. & Лещенко, Е. Д., 14 июл 2023, в: Physical Review Materials. 7, 7, 074603 .

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  6. From Layer-by-Layer Growth to Nanoridge Formation: Selective Area Epitaxy of GaAs by MOVPE

    Morgan, N., Dubrovskii, V. G., Stief, A-K., Dede, D., Sanglé-Ferrière, M., Rudra, A., Piazza, V. & Fontcuberta i Morral, A., 5 июл 2023, в: Crystal Growth and Design. 23, 7, стр. 5083–5092 10 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  7. Ultrathin Te-Doped GaP Nanoantenna with Crystal Phase Transitions

    Diak, E., Thomas, A., Dubrovskii, V. G. & LaPierre, R. R., 9 июн 2023, в: Crystal Growth and Design. 23, 7, стр. 5074–5082

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  8. Importance of As and Ga Balance in Achieving Long GaAs Nanowires by Selective Area Epitaxy

    Chereau, E., Dubrovskii, V. G., Gregoire, G., Avit, G., Staudinger, P., Shmid, H., Bougerol, C., Coulon, P-M., Shields, P., Trassoudaine, A., Gil, E., LaPierre, R. R. & Andre, Y., 22 мая 2023, в: Crystal Growth and Design. 23, 6, стр. 4401-4409 9 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  9. An Overview of Modeling Approaches for Compositional Control in III-V Ternary Nanowires

    Leshchenko, E. D. & Dubrovskii, V. G., 17 мая 2023, в: Nanomaterials. 13, 10, 1659.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › Обзорная статья › Рецензирование

  10. Modeling catalyst-free growth of III-V nanowires: empirical and rigorous approaches

    Dubrovskii, V. G., 1 апр 2023, в: Nanomaterials. 13, 7, 1253.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  11. Synthesis of Au/Si nanostructures by STM lithography

    Lebedev, D. V., Shkoldin, V. A., Mozharov, A. M., Petukhov, A. E., Golubok, A. O., Arkhipov, A. A. V., Mukhin, I. S. & Дубровский, В. Г., 17 мар 2023, в: Technical Physics Letters. 48, 6, стр. 47-50 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Назад 1 2 3 4 5 6 7 8 ...12 Далее

ID: 148847