1 - 10 из 13Размер страницы: 10
Сортировать по:: Дата начала
  1. 2024

  2. "Tuning the composition of III-V ternary nanomaterials by V/III flux ratio

    Владимир Германович Дубровский (Докладчик) & Егор Дмитриевич Лещенко (Докладчик)

    5 июл 2024

    Деятельность: Выступление на научной конференции › выступление с устным докладом

  3. Modeling approaches for the compositional control in ternary nanowires and heterostructures

    Владимир Германович Дубровский (Докладчик) & Егор Дмитриевич Лещенко (Основной докладчик)

    4 июл 2024

    Деятельность: Выступление на научной конференции › выступление со стендовым докладом

  4. Tuning the composition of III-V ternary nanomaterials by V/III flux ratio

    Владимир Германович Дубровский (Докладчик) & Егор Дмитриевич Лещенко (Докладчик)

    4 июл 2024

    Деятельность: Выступление на научной конференции › выступление со стендовым докладом

  5. 2023

  6. Quantum dots in nanowires: synthesis and applications for single photon emitters

    Владимир Германович Дубровский (Докладчик)

    20 июл 2023

    Деятельность: Выступление на научной конференции › выступление с устным докладом

  7. 2022

  8. Droplet contact angle controlling the morphology and crystal phase of GaAs and GaP nanowires

    Николай Владимирович Сибирёв (Докладчик), Владимир Германович Дубровский (Докладчик), Владимир Викторович Федоров (Докладчик), L.N Dvoretckaia (Докладчик), Демид Александрович Кириленко (Докладчик), Иван Сергеевич Мухин (Докладчик), A Ghukasyan (Докладчик), Nebile Isik Goktas (Докладчик) & Ray R. LaPierre (Докладчик)

    23 июн 2022

    Деятельность: Выступление на научной конференции › выступление с устным докладом

  9. Growth of III-V nanowires by molecular beam epitaxy: the role of material exchange with the substrate

    Николай Владимирович Сибирёв (Докладчик) & Владимир Германович Дубровский (Докладчик)

    23 июн 2022

    Деятельность: Выступление на научной конференции › выступление с устным докладом

  10. Hexagonal Ge on the side facets of GaAs and AlGaAs nanowires

    Владимир Германович Дубровский (Докладчик), Константин Павлович Котляр (Докладчик), Игорь Владимирович Илькив (Докладчик), Сергей Владимирович Микушев (Докладчик), Демид Александрович Кириленко (Докладчик), Илья Петрович Сошников (Докладчик) & Георгий Эрнстович Цырлин (Докладчик)

    июн 2022

    Деятельность: Выступление на научной конференции › выступление с устным докладом

  11. 2021

  12. Improvement of the Sn incorporation in GeSn nanowires grown by VLS-CVD by modulation of the droplet composition

    Владимир Германович Дубровский (Докладчик) & Хади Хиджази (Основной докладчик)

    15 ноя 2021

    Деятельность: Выступление на научной конференции › выступление с устным докладом

  13. MBE growth of hexagonal germanium grown on AlxGa1−xAs nanowires

    Владимир Германович Дубровский (Докладчик), Игорь Владимирович Илькив (Основной докладчик), Константин Котляр (Докладчик) & Георгий Эрнстович Цырлин (Докладчик)

    15 ноя 2021

    Деятельность: Выступление на научной конференции › выступление с устным докладом

  14. Measuring and modeling morphology and composition of InAsSb nanowires grown by selective area molecular beam epitaxy

    Владимир Германович Дубровский (Докладчик) & Андрей Сергеевич Соколовский (Докладчик)

    15 ноя 2021

    Деятельность: Выступление на научной конференции › выступление со стендовым докладом

Назад 1 2 Далее

ID: 148847