Исследованы лимитирующие факторы скорости роста ступени при эпитаксии полупроводниковых соединений III-V. Модель, основанная на двух связанных диффузионных уравнениях для адатомов групп III и V, применима для исследования как планарных слоев, так и наноструктур различного типа (включая III-V нитевидные нанокристаллы). Получено выражение для скорости роста ступени и найден физический параметр, значение которого определяет лимитированные кинетикой элементов группы III или V режимы роста. Ключевые слова: полупроводниковые соединения III-V, поверхностная диффузия адатомов, десорбция, скорость роста ступени.