71 - 80 из 120Размер страницы: 10
Сортировать по:: Год публикации
  1. 2021

  2. Reconsideration of nanowire growth theory at low temperatures

    Dubrovskii, V. G., 13 сен 2021, в: Nanomaterials. 11, 9, 10 стр., 2378.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. Modeling the Shape Evolution of Selective Area Grown Zn3P2Nanoislands

    Dubrovskii, V. G., Steinvall, S. E., De Mestral, V., Paul, R., Leran, J. B., Zamani, M., Stutz, E. Z. & Fontcuberta I Morral, A., 4 авг 2021, в: Crystal Growth and Design. 21, 8, стр. 4732-4737 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  4. Formation of Hexagonal Ge Stripes on the Side Facets of AlGaAs Nanowires: Implications for Near-Infrared Detectors

    Ilkiv, I. V., Kotlyar, K. P., Kirilenko, D. A., Osipov, A. V., Soshnikov, I. P., Mikushev, S. V., Dubrovskii, V. G. & Cirlin, G. E., 14 июл 2021, в: ACS Applied Nano Materials. 4, 7, стр. 7289-7294 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  5. Dynamics of monolayer growth in vapor–liquid–solid gaas nanowires based on surface energy minimization

    Hijazi, H. & Dubrovskii, V. G., июл 2021, в: Nanomaterials. 11, 7, 7 стр., 1681.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  6. Improving the yield of GaAs nanowires on silicon by Ga pre-deposition

    Wilson, D. P., Dubrovskii, V. G. & Lapierre, R. R., 25 июн 2021, в: Nanotechnology. 32, 26, 7 стр., 265301.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  7. Comprehensive model toward optimization of SAG In-rich InGaN nanorods by hydride vapor phase epitaxy

    Hijazi, H., Zeghouane, M., Jridi, J., Gil, E., Castelluci, D., Dubrovskii, V. G., Bougerol, C., Andre, Y. & Trassoudaine, A., 9 апр 2021, в: Nanotechnology. 32, 15, 7 стр., 155601.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  8. Simultaneous Selective Area Growth of Wurtzite and Zincblende Self-Catalyzed GaAs Nanowires on Silicon

    Dubrovskii, V. G., Kim, W., Piazza, V., Güniat, L. & Fontcuberta I Morral, A., 5 апр 2021, в: Nano Letters. 21, 7, стр. 3139-3145 7 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  9. Kinetics of guided growth of horizontal gan nanowires on flat and faceted sapphire surfaces

    Rothman, A., Maniš, J., Dubrovskii, V. G., Šikola, T., Mach, J. & Joslevich, E., 3 мар 2021, в: Nanomaterials. 11, 3, стр. 1-9 9 стр., 624.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  10. Conformal Growth of Radial InGaAs Quantum Wells in GaAs Nanowires

    Goktas, N. I., Dubrovskii, V. G. & Lapierre, R. R., 26 янв 2021, в: Journal of Physical Chemistry Letters. 12, 4, стр. 1275-1283 9 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  11. Long catalyst-free InAs nanowires grown on silicon by HVPE

    Grégoire, G., Gil, E., Zeghouane, M., Bougerol, C., Hijazi, H., Castelluci, D., Dubrovskii, V. G., Trassoudaine, A., Goktas, N. I., Lapierre, R. R. & André, Y., 14 янв 2021, в: CrystEngComm. 23, 2, стр. 378-384 7 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Назад 1...4 5 6 7 8 9 10 11 12 Далее

ID: 148847